- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录18618 > FDD6N50TM_WS (Fairchild Semiconductor)MOSFET N-CH 500V 6A DPAK PDF资料下载
参数资料
| 型号： | FDD6N50TM_WS |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 8/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 500V 6A DPAK |
| 产品目录绘图： | DPAK, TO-252(AA) |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | UniFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 900 毫欧 @ 3A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 16.6nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 940pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 89W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1606 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDD6N50TM_WSDKR |
Mechanical Dimensions
Figure 17. TO-251 (I-PAK), Molded, 3-Lead, Option AA
Package drawings are provided as a service to customers considering Fairchild components. Drawings may change in any manner
without notice. Please note the revision and/or date on the drawing and contact a Fairchild Semiconductor representative to verify or
obtain the most recent revision. Package specifications do not expand the terms of Fairchild’s worldwide terms and conditions, specif-
ically the warranty therein, which covers Fairchild products.
Always visit Fairchild Semiconductor ’s online packaging area for the most recent package drawings:
http://www.fairchildsemi.com/package/packageDetails.html?id=PN_TT251-003
?2006 Fairchild Semiconductor Corporation
FDD6N50 / FDU6N50 Rev. C1
8
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1910P72 | CABLE SGL-END STR MALE 10POS 6' |
| GP1UM281XK0F | RECEIVER REMOTE CTRL TOP 38KHZ |
| 195P5S144 | CABLE STR 5POS MALE-FEMALE 12' |
| 494S4S4S12 | SPLIT FMALE-FMALE/FMALE 4POS 1' |
| 559P9P36 | CABLE STR MALE-R/A MALE 9POS 3' |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDD7030 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
| FDD7030BL | 功能描述:MOSFET 30V N-Ch PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDD7030BL_Q | 功能描述:MOSFET 30V N-Ch PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDD7505 | 制造商:ELMEC 功能描述: |
| FDD770N15A | 功能描述:MOSFET 150V/18V N Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。