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参数资料
| 型号： | FDD6N50TM |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 500V 6A DPAK |
| 标准包装： | 2,500 |
| 系列： | UniFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 900 毫欧 @ 3A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 16.6nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 940pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 89W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Typical Performance Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics
Figure 2. Transfer Characteristics
10
20
15
Top :
V GS
10.0 V
8.0V
7.5 V
7.0 V
6.5 V
6.0 V
5.5 V
1
150 ℃
10
10
Bottom :
5.0 V
0
25 ℃
-55 ℃
10
5
※ Notes :
1. 250 μ s Pulse Test
2. T C = 25 ℃
-1
※ Note
1. V DS = 40V
2. 250 μ s Pulse Test
10
0
0
10
20 30
V DS , Drain-Source Voltage [V]
40
50
-2
2
4 6 8
V GS , Gate-Source Voltage [V]
10
Figure 3. On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation vs. Source Current
and Temperature
10
2.5
1
2.0
V GS = 10V
1.5
10
1.0
V GS = 20V
0
0.5
※ Note : T J = 25 ℃
150 ℃
25 ℃
※ Notes :
1. V GS = 0V
2. 250 μ s Pulse Test
10
0.0
0
5
10
15
20
-1
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
I D , Drain Current [A]
Figure 5. Capacitance Characteristics
V SD , Source-Drain Voltage [V]
Figure 6. Gate Charge Characteristics
C iss = C gs + C gd (C ds = shorted)
C oss = C ds + C gd
C rss = C gd
12
10
V DS = 100V
V DS = 250V
1000
100
C iss
C oss
C rss
8
6
V DS = 400V
10
※ Notes :
1. V GS = 0 V
2. f = 1 MHz
4
2
※ Note : I D = 6A
10
10
0
1
0
0
5
10
15
V DS , Drain-Source Voltage [V]
Q G , Total Gate Charge [nC]
?2006 Fairchild Semiconductor Corporation
FDD6N50 / FDU6N50 Rev. C1
3
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| FDD8424H_F085 | MOSFET N/P-CH DUAL 40V DPAK-4 |
| FDD8424H | MOSFET DUAL N/P-CH 40V TO252-4L |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| FDD6N50TM_WS | 功能描述:MOSFET 500V 6A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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