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参数资料
| 型号： | FDD8444L_F085 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 1/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 40V 50A DPAK |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 13/Aug/2010 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 50A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 5.2 毫欧 @ 50A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 60nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 5530pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 153W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FDD8444L_F085DKR |
January 2009
?
FDD8444L_F085
N-Channel PowerTrench
40V, 50A, 6.0m ?
MOSFET
tm
Features
Typ r DS(on) = 3.8m ? at V GS = 5V, I D = 50A
Typ Q g(tot) = 46nC at V GS = 5V
Low Miller Charge
Low Q rr Body Diode
UIS Capability (Single Pulse/ Repetitive Pulse)
Qualified to AEC Q101
RoHS Compliant
Applications
Automotive Engine Control
Powertrain Management
Solenoid and Motor Drivers
Electronic Transmission
Distributed Power Architecture and VRMs
Primary Switch for 12V and 24V systems
A
DF
REE I
? 2009 Fairchild Semiconductor Corporation
FDD8444L_F085 Rev A (W)
1
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDD8444 | MOSFET N-CH 40V 145A DPAK |
| FDD8447L | MOSFET N-CH 40V 15.2A DPAK |
| FDD8451 | MOSFET N-CH 40V 9A DPAK |
| FDD8453LZ | MOSFET N-CH 40V 16.4A DPAK |
| FDD850N10L | MOSFET N-CH 100V 15.7A DPAK-3 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDD8445 | 功能描述:MOSFET LOW_VOLTAGE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDD8445_07 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET 40V, 50A, 8.7mヘ |
| FDD8445_10 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel PowerTrench?? MOSFET 40V, 50A, 8.7m?? |
| FDD8445_F085 | 功能描述:MOSFET LOW_VOLTAGE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDD8447L | 功能描述:MOSFET 40V N-Ch PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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