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参数资料
| 型号： | FDD8444 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 1/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 40V 145A DPAK |
| 产品目录绘图： | DPAK, TO-252(AA) |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 145A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 5.2 毫欧 @ 50A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 116nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 6195pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 153W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1605 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDD8444DKR |
June 2007
?
FDD8444
N-Channel PowerTrench
40V, 50A, 5.2m Ω
MOSFET
tm
Features
Typ r DS(on) = 4m Ω at V GS = 10V, I D = 50A
Typ Q g(10) = 89nC at V GS = 10V
Low Miller Charge
Low Q rr Body Diode
UIS Capability (Single Pulse/ Repetitive Pulse)
Qualified to AEC Q101
RoHS Compliant
Applications
Automotive Engine Control
Powertrain Management
Solenoid and Motor Drivers
Electronic Transmission
Distributed Power Architecture and VRMs
Primary Switch for 12V Systems
A
DF
REE I
?2006 Fairchild Semiconductor Corporation
FDD8444 Rev B (W)
1
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| FDD8444L | 功能描述:MOSFET 40V N-Ch POWERTRENCH MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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