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参数资料
| 型号： | FDD8444 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 6/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 40V 145A DPAK |
| 产品目录绘图： | DPAK, TO-252(AA) |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 145A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 5.2 毫欧 @ 50A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 116nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 6195pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 153W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1605 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDD8444DKR |
Typical Characteristics
1.2
1.15
1.1
1.0
0.9
V GS = V DS
I D = 250 μ A
1.10
1.05
I D = 250 μ A
0.8
0.7
0.6
0.5
1.00
0.95
0.4
-80
-40 0 40 80 120 160
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( o C )
200
0.90
-80
-40 0 40 80 120 160
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( o C )
200
Figure 11. Normalized Gate Threshold Voltage vs
Junction Temperature
Figure 12. Normalized Drain to Source
Breakdown Voltage vs Junction Temperature
10000
C iss
10
8
I D = 50A
V DD = 15V
C oss
6
V DD = 20V
V DD = 25V
1000
4
f = 1MHz
C rss
2
V GS = 0V
100
0.1
1 10
40
0
0
20
40 60
80
100
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE ( V )
Figure 13. Capacitance vs Drain to Source
Voltage
Q g , GATE CHARGE(nC)
Figure 14. Gate Charge vs Gate to Source Voltage
FDD8444 Rev B (W)
6
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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