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参数资料
| 型号： | FDD8444 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 5/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 40V 145A DPAK |
| 产品目录绘图： | DPAK, TO-252(AA) |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 145A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 5.2 毫欧 @ 50A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 116nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 6195pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 153W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1605 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDD8444DKR |
Typical Characteristics
1000
100
10us
500
100
If R = 0
t AV = (L)(I AS )/(1.3*RATED BV DSS - V DD )
If R ≠ 0
t AV = (L/R)ln[(I AS *R)/(1.3*RATED BV DSS - V DD ) +1 ]
100us
10
STARTING T J = 25 o C
1ms
AREA MAY BE 10ms
T J = MAX RATED
T C = 25 o C
1
0.1
1
CURRENT LIMITED
BY PACKAGE
OPERATION IN THIS SINGLE PULSE
LIMITED BY rDS(on)
DC
10
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
100
10
1
0.01
STARTING T J = 150 o C
0.1 1 10 100
t AV , TIME IN AVALANCHE (ms)
1000
NOTE: Refer to Fairchild Application Notes AN7514 and AN7515
Figure 5. Forward Bias Safe Operating Area
Figure 6. Unclamped Inductive Switching
C apability
100
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
100
V GS = 10V
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
80
60
40
20
V DD = 5V
T J = 175 o C
T J = 25 o C
T J = -55 o C
80
60
40
20
V GS = 5V
V GS = 4.5V
V GS = 4V
0
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
0
0.0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 7. Transfer Characteristics
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 8. Saturation Characteristics
14
12
10
I D = 50A
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
T J = 175 o C
1.8
1.6
1.4
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
8
6
1.2
1.0
T J = 25 C
4
o
0.8
I D = 50A
V GS = 10V
2
4
5 6 7 8 9
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE ( V )
10
0.6
-80
-40 0 40 80 120 160
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( o C )
200
Figure 9. Drain to Source On-Resistance
Variation vs Gate to Source Voltage
Figure 10. Normalized Drain to Source On
Resistance vs Junction Temperature
FDD8444 Rev B (W)
5
www.fairchildsemi.com
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