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参数资料
| 型号： | FDD850N10L |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 1/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 15.7A DPAK-3 |
| 标准包装： | 2,500 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 15.7A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 75 毫欧 @ 12A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 28.9nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1465pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 50W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | TO-252，（D-Pak） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
November 2013
FDD850N10L
N-Channel PowerTrench ? MOSFET
100 V, 15.7 A, 75 m Ω
Features
? R DS(on) = 61 m Ω ( yp.) @ V GS = 10 V, I D = 12 A
? R DS(on) = 64 m Ω (Typ.) @ V GS = 5 V, I D = 12 A
? Low Gate Charge (Typ. 22.2 nC)
? Low C rss (Typ. 42 pF)
? Fast Switching
? 100% Avalanche Tested
? Improved dv/dt Capability
? RoHS Compliant
Description
This N-Channel MOSFET is produced using Fairchld Semicon-
ductor ’s advanced PowerTrench ? process that has been tai-
lored to minimize the on-state resistance and maintain superior
switching performance.
Application
? Consumer Appliances
? LED TV and Monitor
? Synchronous Rectification
? Uninterruptible Power Supply
? Micro Solar Inverter
D
D
G
S
D-PAK
G
S
MOSFET Maximum Ratings T C =
25 o C
unless otherwise noted.
Symbol
V DSS
Drain to Source Voltage
Parameter
FDD850N10L
100
Unit
V
V GSS
I D
Gate to Source Voltage
Drain Current
- Continuous (T C = 25 o C)
- Continuous (T C = 100 o C)
±20
15.7
11.1
V
A
I DM
Drain Current
- Pulsed
(Note 1)
63
A
E AS
dv/dt
P D
Single Pulsed Avalanche Energy
Peak Diode Recovery dv/dt
Power Dissipation
(T C = 25 o C)
- Derate Above 25 o C
(Note 2)
(Note 3)
41
6.0
50
0.33
mJ
V/ns
W
W/ o C
T J , T STG
T L
Operating and Storage Temperature Range
Maximum Lead Temperature for Soldering, 1/8” from Case for 5 Seconds
-55 to +175
300
o
o
C
C
Thermal Characteristics
Symbol
Parameter
FDD850N10L
Unit
R θ JC
R θ JA
Thermal Resistance, Junction to Case, Max.
Thermal Resistance, Junction to Ambient, Max.
3.0
87
o
C/W
?2010 Fairchild Semiconductor Corporation
FDD850N10L Rev. C1
1
www.fairchildsemi.com
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| FDD8586 | 功能描述:MOSFET 20V 35A 5.5 OHM NCH DPAK PO RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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| FDD86102LZ | 功能描述:MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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