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参数资料
| 型号： | FDD86102 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 1/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 8A DPAK |
| 产品目录绘图： | DPAK, TO-252(AA) |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 24 毫欧 @ 8A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 19nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1035pF @ 50V |
| 功率 - 最大： | 3.1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1606 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDD86102DKR |
May 2013
FDD86102
N-Channel Shielded Gate PowerTrench ? MOSFET
100 V, 36 A, 24 m Ω
Features
Shielded Gate MOSFET Technology
Max r DS(on) = 24 m Ω at V GS = 10 V, I D = 8 A
Max r DS(on) = 38 m Ω at V GS = 6 V, I D = 6 A
High performance trench technology for extremely low r DS(on)
High power and current handling capability in a widely used
surface mount package
Very low Qg and Qgd compared to competing trench
General Description
This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild
Semiconductor‘s advanced PowerTrench ? process that
incorporates Shielded Gate technology. This process has been
optimized for r DS(on) , switching performance and ruggedness.
Application
DC - DC Conversion
technologies
Fast switching speed
100% UIL tested
RoHS Compliant
D
G
D
S
T O A K
D -P -2 52
(T O -252)
G
S
MOSFET Maximum Ratings T C = 25 °C unless otherwise noted
Symbol
V DS
V GS
Drain to Source Voltage
Gate to Source Voltage
Drain Current -Continuous
Parameter
T C = 25 °C
Ratings
100
±20
36
Units
V
V
I D
-Continuous
T A = 25 °C
(Note 1a)
8
A
-Pulsed
(Note 4)
75
E AS
Single Pulse Avalanche Energy
(Note 3)
121
mJ
P D
Power Dissipation
Power Dissipation
T C = 25 °C
T A = 25 °C
(Note 1a)
62
3.1
W
T J , T STG
Operating and Storage Junction Temperature Range
-55 to +150
°C
Thermal Characteristics
R θ JC
R θ JA
Thermal Resistance, Junction to Case
Thermal Resistance, Junction to Ambient
(Note 1a)
2.0
40
°C/W
Package Marking and Ordering Information
Device Marking
FDD86102
Device
FDD86102
Package
D-PAK(TO-252)
Reel Size
13 ’’
Tape Width
12 mm
Quantity
2500 units
?2012 Fairchild Semiconductor Corporation
FDD86102 Rev.C7
1
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDD86102LZ | 功能描述:MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDD86102LZ_12 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel PowerTrench?? MOSFET 100 V, 35 A, 22.5 m?? |
| FDD86110 | 功能描述:MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDD86113LZ | 功能描述:MOSFET 100/20V PT5 N-Chan PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDD86250 | 功能描述:MOSFET 150V N-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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