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参数资料
| 型号： | FDD850N10L |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 15.7A DPAK-3 |
| 标准包装： | 2,500 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 15.7A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 75 毫欧 @ 12A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 28.9nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1465pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 50W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | TO-252，（D-Pak） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Typical Performance Characteristics (Continued)
Figure 7. Breakdown Voltage Variation
vs. Temperature
1.15
1.10
Figure 8. On-Resistance Variation
vs. Temperature
3.0
2.5
2.0
1.05
1.5
1.00
1.0
T J , Junction Temperature [ C ]
T J , Junction Temperature [ C ]
0.95
0.90
-100
*Notes:
1. V GS = 0V
2. I D = 250 μ A
-50 0 50 100 150 200
o
0.5
0.0
-100
*Notes:
1. V GS = 10V
2. I D = 12A
-50 0 50 100 150 200
o
Figure 9. Maximum Safe Operating Area
100
Figure 10. Maximum Drain Current
vs. Case Temperature
18
10
100 μ s
15
12
V GS = 10V
is Limited by R DS(on)
*Notes:
1. T C = 25 C
2. T J = 175 C
R θ JC = 3.0 C/W
T C , Case Temperature [ C ]
1
0.1
0.01
0.1
1ms
Operation in This Area 10ms
100ms
DC
o
o
3. Single Pulse
1 10 100 200
V DS , Drain-Source Voltage [V]
9
6
3
0
25
V GS = 5V
o
50 75 100 125 150
o
175
Figure 11. Transient Thermal Response Curve
4
0.5
1
0.2
1. Z θ JC (t) = 3.0 C/W Max.
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
Single pulse
P DM
t 1
t 2
*Notes:
o
2. Duty Factor, D= t 1 /t 2
10
10
10
10
10
0.01
-5
-4
-3
-2
3. T JM - T C = P DM * Z θ JC (t)
-1
1
1 ,
Rectangular Pulse Duration [sec]
?2010 Fairchild Semiconductor Corporation
FDD850N10L Rev. C1
4
www.fairchildsemi.com
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| FDD8586 | 功能描述:MOSFET 20V 35A 5.5 OHM NCH DPAK PO RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDD86102 | 功能描述:MOSFET 100V N-Channel PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDD86102LZ | 功能描述:MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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