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参数资料
| 型号： | FDD850N10L |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 15.7A DPAK-3 |
| 标准包装： | 2,500 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 15.7A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 75 毫欧 @ 12A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 28.9nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1465pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 50W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | TO-252，（D-Pak） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Typical Performance Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics
Figure 2. Transfer Characteristics
100
V GS = 15.0V
100
*Notes:
175 C
25 C
-55 C
10
10.0V
6.0V
5.0V
3.5V
3.0V
*Notes:
1. 250 μ s Pulse Test
10
1
1. V DS = 10V
2. 250 μ s Pulse Test
o
o
o
2. T C = 25 C
1
0.1
1
o
10
0.1
0
2 4
6
175 C
25 C
V DS , Drain-Source Voltage[V]
Figure 3. On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
0.20
0.16
0.12
V GS = 5V
0.08
V GS = 10V
0.04
V GS , Gate-Source Voltage[V]
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation vs. Source Current
and Temperature
100
o
o
10
*Notes:
*Note: T C = 25 C
0.00
0
10
20 30
40
o
50
1
0.2
1. V GS = 0V
2. 250 μ s Pulse Test
0.4 0.6 0.8 1.0 1.2
1.4
I D , Drain Current [A]
Figure 5. Capacitance Characteristics
V SD , Body Diode Forward Voltage [V]
Figure 6. Gate Charge Characteristics
5000
Ciss = Cgs + Cgd ( Cds = shorted )
10
1000
Coss = Cds + Cgd
Crss = Cgd
C iss
8
V DS = 20V
V DS = 50V
V DS = 80V
6
100
*Note:
1. V GS = 0V
C oss
C rss
4
2
10
0.1
2. f = 1MHz
1 10
V DS , Drain-Source Voltage [V]
100
0
0
4
*Note: I D = 15.7A
8 12 16 20
Q g , Total Gate Charge [nC]
24
?2010 Fairchild Semiconductor Corporation
FDD850N10L Rev. C1
3
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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| FDD86102LZ | 功能描述:MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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