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参数资料
| 型号： | FDD8444L_F085 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 40V 50A DPAK |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 13/Aug/2010 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 50A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 5.2 毫欧 @ 50A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 60nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 5530pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 153W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FDD8444L_F085DKR |
Electrical Characteristics T J = 25 o C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min
Typ
Max
Units
Switching Characteristics
t on
Turn-On Time
-
-
104
ns
t d(on)
t r
t d(off)
t f
t off
Turn-On Delay Time
Turn-On Rise Time
Turn-Off Delay Time
Turn-Off Fall Time
Turn-Off Time
V DD = 20V, I D = 50A
V GS = 5V, R GS = 2 ?
-
-
-
-
-
18.7
46
42
19.2
-
-
-
-
-
96
ns
ns
ns
ns
ns
Drain-Source Diode Characteristics
V SD
t rr
Q rr
Source to Drain Diode Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
I SD = 50A
I SD = 25A
I F = 50A, dI F /dt = 100A/ μ s
-
-
-
-
0.9
0.8
34
29
1.25
1.0
44
38
V
ns
nC
Notes:
1: Package current limitation is 50A.
2: Starting T J = 25 o C, L = 0.37mH, I AS = 40A.
This product has been designed to meet the extreme test conditions and environment demanded by the automotive industry. For a copy of the
requirements, see AEC Q101 at: http://www.aecouncil.com/
All Fairchild Semiconductor products are manufactured, assembled and tested under ISO9000 and QS9000 quality systems certification.
FDD8444L_F085 Rev A (W)
3
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDD8445 | 功能描述:MOSFET LOW_VOLTAGE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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| FDD8447L | 功能描述:MOSFET 40V N-Ch PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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