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参数资料
| 型号： | FDD86102LZ |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 8A DPAK |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 22.5 毫欧 @ 8A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 26nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1540pF @ 50V |
| 功率 - 最大： | 3.1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | TO-252，（D-Pak） |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FDD86102LZFSDKR |
Typical Characteristics T J = 25 °C unless otherwise noted
40
30
V GS = 10 V
V GS = 4.5 V
V GS = 3.5 V
V GS = 3 V
5
4
V GS = 2.5 V
V GS = 3 V
3
20
2
V GS = 3.5 V
10
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
V GS = 2.5 V
1
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
V GS = 4.5 V
V GS = 10 V
0
0
1
2
3
4
5
0
0
10 20
30
40
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On-Region Characteristics
2.0
I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 2. Normalized On-Resistance
vs Drain Current and Gate Voltage
120
1.8
1.6
I D = 8 A
V GS = 10 V
90
I D = 8 A
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
1.4
1.2
60
T J = 125 o C
1.0
0.8
30
T J = 25 o C
0.6
-75
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( o C )
0
2
4 6 8
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
10
Figure 3. Normalized On- Resistance
vs Junction Temperature
40
Figure 4. On-Resistance vs Gate to
Source Voltage
50
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
10
V GS = 0 V
30
20
V DS = 5 V
T J = 150 o C
T J = 25 o C
1
0.1
T J = 150 o C
T J = 25 o C
10
T J = -55 o C
0.01
T J = -55 o C
0
0
1
2
3
4
5
0.001
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 5. Transfer Characteristics
V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 6. Source to Drain Diode
Forward Voltage vs Source Current
?2012 Fairchild Semiconductor Corporation
FDD86102LZ Rev.C1
3
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDD86102 | MOSFET N-CH 100V 8A DPAK |
| FDD86110 | MOSFET N-CH 100V 12.5A DPAK-3 |
| FDD86113LZ | MOSFET N-CH 100V 4.2A DPAK-3 |
| FDD86250 | MOSFET N-CH 150V 8A DPAK |
| FDD86252 | MOSFET N-CH 150V 5A DPAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDD86102LZ_12 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel PowerTrench?? MOSFET 100 V, 35 A, 22.5 m?? |
| FDD86110 | 功能描述:MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDD86113LZ | 功能描述:MOSFET 100/20V PT5 N-Chan PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDD86250 | 功能描述:MOSFET 150V N-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDD86252 | 功能描述:MOSFET 150 N-CH PwrTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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