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参数资料
| 型号： | FDD86326 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 80V TRENCH DPAK |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 80V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 23 毫欧 @ 8A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 19nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1035pF @ 50V |
| 功率 - 最大： | 3.1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FDD86326DKR |
Typical Characteristics T J = 25 °C unless otherwise noted
10
8
6
I D = 8 A
V DD = 25 V
V DD = 50 V
1000
C iss
C oss
V DD = 75 V
100
4
2
f = 1 MHz
0
0
3
6 9
Q g , GATE CHARGE (nC)
12
15
10
0.1
V GS = 0 V C rss
1 10
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
80
Figure 7. Gate Charge Characteristics
9
8
7
6
40
Figure 8. Capacitance vs Drain
to Source Voltage
5
4
T J = 25 o C
30
3
T J = 125 o C
T J = 100 o C
20
V GS = 10 V
2
10
V GS = 4.5 V
R T JC = 2 C/W
T c , CASE TEMPERATURE ( C )
1
0.01
0.1 1
t AV , TIME IN AVALANCHE (ms)
10
30
0
25
50
75 100 125
o
o
150
100
Figure 9. Unclamped Inductive
Switching Capability
Figure 10. Maximum Continuous Drain
Current vs Case Temperature
10000
V GS = 10 V
SINGLE PULSE
R T JC = 2 o C/W
T C = 25 o C
10
THIS AREA IS
LIMITED BY r DS(on)
100 us
1000
1
SINGLE PULSE
T J = MAX RATED
1 ms
R T JC = 2 o C/W
T C = 25 o C
10 ms
100 ms
100
10
10
10
10
10
0.1
1
10
DC
100
200
50
-5
-4
-3
-2
-1
1
10
V DS , DRAIN to SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 11. Forward Bias Safe
Operating Area
t, PULSE WIDTH (sec)
Figure 12. Single Pulse Maximum
Power Dissipation
?2010 Fairchild Semiconductor Corporation
FDD86326 Rev.C2
4
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDD8647L | 功能描述:MOSFET 40/20V Nch Power Trench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDD86540 | 功能描述:MOSFET 60V 50A 4.1ohm NCh PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDD8750 | 功能描述:MOSFET 25V N-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDD8770 | 功能描述:MOSFET LOW_VOLTAGE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDD8778 | 功能描述:MOSFET 25V N-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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