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参数资料
| 型号： | FDD8796 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 25V 35A DPAK |
| 产品目录绘图： | DPAK, TO-252(AA) |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 25V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 35A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 5.7 毫欧 @ 35A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 52nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2610pF @ 13V |
| 功率 - 最大： | 88W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1605 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDD8796DKR |
Typical Characteristics T J = 25°C unless otherwise noted
70
4.0
60
50
40
V GS = 10V
V GS = 4.5V
V GS = 3.5V
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5%MAX
3.5
3.0
2.5
V GS = 3V
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5%MAX
V GS = 3.5V
30
2.0
20
10
V GS = 3V
1.5
1.0
V GS = 4.5V
V GS = 10V
0
0
1 2 3
4
0.5
0
10
20 30 40 50
60
70
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On Region Characteristics
1.8
I D , DRAIN CURRENT(A)
Figure 2. Normalized On-Resistance vs Drain
Current and Gate Voltage
14
1.6
I D = 35A
V GS = 10V
12
I D =35A
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5%MAX
1.4
10
1.2
1.0
0.8
8
6
4
T J = 175 o C
T J = 25 o C
0.6
-80
-40 0 40 80 120 160
200
2
2
4 6 8
10
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( o C )
Figure 3. Normalized On Resistance vs Junction
Temperature
70
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 4. On-Resistance vs Gate to Source
Voltage
100
60
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5%MAX
10
V GS = 0V
50
40
30
T J = 175 o C
T J = 25 o C
1
0.1
T J = 175 o C
T J = -55 o C
T J = 25 o C
20
10
T J = -55 o C
0.01
0
0
1
2 3 4
1E-3
0.0
0.3
0.6
0.9
1.2
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 5. Transfer Characteristics
V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 6. Source to Drain Diode Forward
Voltage vs Source Current
FDD8796/FDU8796 Rev. B
3
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ATAB5425-3-WB | KIT DEMO 345MHZ BLACKBIRD |
| ATAB5423-3-WB | KIT DEMO 315MHZ BLACKBIRD |
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| GSCB36S2 | SWITCH ROTARY SIDE |
| NE6510179A-EVPW26 | EVAL BOARD NE6510179A 2.6GHZ |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDD8870 | 功能描述:MOSFET 30V N-Channel PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDD8870 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET, N CH, 30V, 0.0032OHM, 160A, TO-252AA-3 |
| FDD8870_08 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET |
| FDD8870_F085 | 功能描述:MOSFET 30V NCH PwrTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDD8870_F085_13 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel PowerTrench?? MOSFET 30V, 160A, 3.9m?? |
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