参数资料
型号: FDD8796
厂商: Fairchild Semiconductor
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文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 25V 35A DPAK
产品目录绘图: DPAK, TO-252(AA)
标准包装: 1
系列: PowerTrench®
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 25V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 35A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 5.7 毫欧 @ 35A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 2.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 52nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 2610pF @ 13V
功率 - 最大: 88W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装: D-Pak
包装: 标准包装
产品目录页面: 1605 (CN2011-ZH PDF)
其它名称: FDD8796DKR
Typical Characteristics T J = 25°C unless otherwise noted
2
1
DUTY CYCLE-DESENDING ORDER
D = 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
P DM
0.01
NOTES:
t 1
t 2
SINGLE PULSE
DUTY FACTOR: D = t 1 /t 2
PEAK T J = P DM x Z θ JC x R θ JC + T C
10
10
10
10
10
10
10
1E-3
-5
-4
-3
-2
-1
0
1
t, RECTANGULAR PULSE DURATION(s)
Figure 13. Transient Thermal Response Curve
FDD8796/FDU8796 Rev. B
5
www.fairchildsemi.com
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PDF描述
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参数描述
FDD8870 功能描述:MOSFET 30V N-Channel PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
FDD8870 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET, N CH, 30V, 0.0032OHM, 160A, TO-252AA-3
FDD8870_08 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET
FDD8870_F085 功能描述:MOSFET 30V NCH PwrTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
FDD8870_F085_13 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel PowerTrench?? MOSFET 30V, 160A, 3.9m??