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参数资料
| 型号： | FDD8896 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 9/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 94A DPAK |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 94A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 5.7 毫欧 @ 35A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 60nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2525pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 80W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | TO-252-3 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FDD8896DKR |
SABER Electrical Model
rev July 2003
template FDD8896 n2,n1,n3 =m_temp
electrical n2,n1,n3
number m_temp=25
{
var i iscl
dp..model dbodymod = (isl=5e-12,ikf=10,nl=1.01,rs=2.6e-3,trs1=8e-4,trs2=2e-7,cjo=8.8e-10,m=0.57,tt=1e-16,xti=0.9)
dp..model dbreakmod = (rs=8e-2,trs1=1e-3,trs2=-8.9e-6)
dp..model dplcapmod = (cjo=9.4e-10,isl=10e-30,nl=10,m=0.4)
m..model mmedmod = (type=_n,vto=1.85,kp=10,is=1e-30, tox=1)
m..model mstrongmod = (type=_n,vto=2.34,kp=350,is=1e-30, tox=1)
sw_vcsp..model s2amod = (ron=1e-5,roff=0.1,von=-2,voff=-0.5)
m..model mweakmod = (type=_n,vto=1.55,kp=0.05,is=1e-30, tox=1,rs=0.1)
sw_vcsp..model s1amod = (ron=1e-5,roff=0.1,von=-4,voff=-3) DPLCAP
sw_vcsp..model s1bmod = (ron=1e-5,roff=0.1,von=-3,voff=-4)
10
sw_vcsp..model s2bmod = (ron=1e-5,roff=0.1,von=-0.5,voff=-2)
c.ca n12 n8 = 2.3e-9
RSLC2
c.cb n15 n14 = 2.3e-9
c.cin n6 n8 = 2.3e-9
5
RSLC1
51
ISCL
LDRAIN
RLDRAIN
DRAIN
2
9
20
dp.dbody n7 n5 = model=dbodymod
dp.dbreak n5 n11 = model=dbreakmod
dp.dplcap n10 n5 = model=dplcapmod
spe.ebreak n11 n7 n17 n18 = 32.6 GATE
spe.eds n14 n8 n5 n8 = 1 1
spe.egs n13 n8 n6 n8 = 1
spe.esg n6 n10 n6 n8 = 1
spe.evthres n6 n21 n19 n8 = 1
spe.evtemp n20 n6 n18 n22 = 1
LGATE
RLGATE
-
ESG
+
EVTEMP
RGATE + 18 -
22
6
8
6
EVTHRES
+ 19 -
8
CIN
50
RDRAIN
16
21
MMED
MSTRO
8
DBREAK
11
MWEAK
EBREAK
+
17
18
-
7
DBODY
LSOURCE
SOURCE
3
RSOURCE
13
14
l.lgate n1 n9 = 4.6e-9
l.lsource n3 n7 = 1.7e-9
res.rlgate n1 n9 = 46
res.rldrain n2 n5 = 10
EGS
res.rlsource n3 n7 = 17
i.it n8 n17 = 1
S1A S2A
12
8 13
l.ldrain n2 n5 = 1.0e-9
S1B S2B
13
CA
+
6
8
-
m.mmed n16 n6 n8 n8 = model=mmedmod, l=1u, w=1u, temp=m_temp
15
CB
+
EDS
-
5
8
14
8
17
IT
RBREAK
RVTHRES
RLSOURCE
18
RVTEMP
19
-
VBAT
+
22
m.mstrong n16 n6 n8 n8 = model=mstrongmod, l=1u, w=1u, temp=m_temp
m.mweak n16 n21 n8 n8 = model=mweakmod, l=1u, w=1u, temp=m_temp
res.rbreak n17 n18 = 1, tc1=8.3e-4,tc2=-4e-7
res.rdrain n50 n16 = 2.2e-3, tc1=1e-4,tc2=8e-6
res.rgate n9 n20 = 2.1
res.rslc1 n5 n51 = 1e-6, tc1=9e-4,tc2=1e-6
res.rslc2 n5 n50 = 1e3
res.rsource n8 n7 = 2e-3, tc1=7.5e-3,tc2=1e-6
res.rvthres n22 n8 = 1, tc1=-1.7e-3,tc2=-8.8e-6
res.rvtemp n18 n19 = 1, tc1=-2.6e-3,tc2=2e-7
sw_vcsp.s1a n6 n12 n13 n8 = model=s1amod
sw_vcsp.s1b n13 n12 n13 n8 = model=s1bmod
sw_vcsp.s2a n6 n15 n14 n13 = model=s2amod
sw_vcsp.s2b n13 n15 n14 n13 = model=s2bmod
v.vbat n22 n19 = dc=1
equations {
i (n51->n50) +=iscl
iscl: v(n51,n50) = ((v(n5,n51)/(1e-9+abs(v(n5,n51))))*((abs(v(n5,n51)*1e6/500))** 10))
}
}
?200 8 Fairchild Semiconductor Corporation
FDD8896 / FDU8896 Rev. C 2
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GP1UM262XK | RECEIVER REMOTE CTRL TOP 36.7KHZ |
| GP1UM261XK | RECEIVER REMOTE CTRL TOP 38KHZ |
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| 1910P72 | CABLE SGL-END STR MALE 10POS 6' |
| GP1UM281XK0F | RECEIVER REMOTE CTRL TOP 38KHZ |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDD8896_08 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET |
| FDD8896_12 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel PowerTrench?? MOSFET 30V, 94A, 5.7m?? |
| FDD8896_F085 | 功能描述:MOSFET 30V N-Ch PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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| FDD8896_NBSW006 | 功能描述:MOSFET 30V35A5.7M0 DPAK NCHPWR TRNCH MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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