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参数资料
| 型号： | FDG6322C |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 7/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC FET DGTL N/P-CHAN DUAL SC70-6 |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 25V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 220mA，410mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 4 欧姆 @ 220mA，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 0.4nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 9.5pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 300mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 供应商设备封装： | SC-70-6 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1216 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDG6322CDKR |
1
Typical Electrical Characteristics: P-Channel (continued)
5
4
3
I D = -0.41A
V DS = -5V
-15V
-10V
200
80
30
Cis s
C oss
2
1
10
5
f = 1 MHz
V GS = 0 V
Crs s
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
3
0.1
0.3
1
2
5
10
25
Q g , GATE CHARGE (nC)
Figure 17. Gate Charge Characteristics.
3
50
-V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 18. Capacitance Characteristics.
1m
10
0m
1
0.5
RD
S
(O
N)
LI
MI
T
10
s
ms
s
40
30
SINGLE PULSE
R θ JA =415°C/W
T A = 25°C
1s
0.1
0.05
V GS = -4.5V
SINGLE PULSE
10
DC
s
20
10
R θ JA = 415°C
T A = 25°C
0.01
0.1
A
0.2 0.5
1
2
5
10
25
40
0
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
200
- V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 19. Maximum Safe Operating Area.
SINGLE PULSE TIME (SEC)
Figure 20. Single Pulse Maximum Power
Dissipation.
FDG6322C R ev.F3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 34ASP33B4M7RT | TOG MINI SPDT O-O-O N RAV LF |
| 6EEJ8 | MODULE POWER ENTRY 6A STRAIGHT |
| FXO-HC736R-102.4 | OSC 102.4 MHZ 3.3V HCMOS SMD |
| 34ASP58T7M1RT | TOG MINI SPDT O-O-O T SL LF |
| FXO-HC736R-104 | OSC 104 MHZ 3.3V HCMOS SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDG6322C_08 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Dual N & P Channel Digital FET |
| FDG6322C_D87Z | 功能描述:MOSFET Dual N&P Ch Digital RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDG6322C_NL | 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述: |
| FDG6322C_Q | 功能描述:MOSFET SC70-6 COMP N-P-CH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDG6323 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Integrated Load Switch |
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