参数资料
型号: FDG6322C
厂商: Fairchild Semiconductor
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描述: IC FET DGTL N/P-CHAN DUAL SC70-6
产品培训模块: High Voltage Switches for Power Processing
产品变化通告: Mold Compound Change 12/Dec/2007
标准包装: 1
FET 型: N 和 P 沟道
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 25V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 220mA,410mA
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 4 欧姆 @ 220mA,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 1.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 0.4nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 9.5pF @ 10V
功率 - 最大: 300mW
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商设备封装: SC-70-6
包装: 标准包装
产品目录页面: 1216 (CN2011-ZH PDF)
其它名称: FDG6322CDKR
Typical Thermal Characteristics: N & P-Channel (continued)
1
0.5
0.2
0.1
0.05
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
P(pk)
R θ JA (t) = r(t) * R θ JA
R θ JA =415 °C/W
0.02
0.02
0.01
t 1
t 2
0.01
0.005
0.002
Single Pulse
T J - T A = P * R θ JA (t)
Duty Cycle, D = t 1 / t 2
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
200
t 1 , TIME (sec)
Figure 21. Transient Thermal Response Curve.
Thermal characterization performed using the conditions described in note 1.
Transient thermalresponse will change depending on the circuit board design.
FDG6322C Rev .F3
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