参数资料
| 型号： | FDG6324L |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC LOAD SWITCH INT 20V SC70-6 |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 Mold Compound Change 07/May/2008 |
| 标准包装： | 1 |
| 类型： | 高端开关 |
| 输出数： | 1 |
| Rds（开）： | 550 毫欧 |
| 内部开关： | 是 |
| 电流限制： | 600mA |
| 输入电压： | 3 V ~ 20 V |
| 工作温度： | -55°C ~ 150°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 供应商设备封装： | SC-70-6 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FDG6324LDKR |
June 1999
FDG6324L
Integrated Load Switch
General Description
This device is intended to be configured as a load switch and
is particularly suited for compact computer peripheral
switching applications where 3V to 20V input and 0.6A output
current capability are needed. This device features a small
N-Channel MOSFET (Q1) together with a large P-Channel
Power MOSFET (Q2) in a single SC70-6 package.
Features
V DROP =0.2V @ V IN =12V, I L =0.36A. R (ON) = 0.55 ?. V DROP =0.2V @
V IN =5V, I L =0.27A. R (ON) = 0.75 ?.
Very small package outline (SC70-6).
Control MOSFET (Q1) includes Zener protection for ESD
ruggedness (>6KV Human Body Model) .
High density cell design for extremely low on-resistance.
SC70-6
SOT-23
SuperSOT TM -6
SuperSOT TM -8
SO-8
SOT-223
.
24
V IN , R 1
V ON/OFF
4
5
Q2
3
2
V OUT , C 1
V OUT , C 1
IN
EQUIVALENT APPLICATION
V
+ DROP -
OUT
Q1
pin 1
R 1 , C 1
6
1
R 2
ON/OFF
SC70-6
Absolute Maximum Ratings
See Application Circuit
T A = 25°C unless otherwise noted
Symbol
V IN
V ON/OFF
Parameter
Input Voltage Range
On/Off Voltage Range
FDG6324L
3 - 20
2.5 - 8
Units
V
V
I L
Load Current
- Continuous
(Note 1)
0.6
A
- Pulsed
(Note 1 & 3)
1.8
P D
T J ,T STG
ESD
Maximum Power Dissipation
Operating and Storage Temperature Range
Electrostatic Discharge Rating
(Note 2)
0.3
-55 to 150
6
W
°C
kV
Human Body Model (100pf/1500Ohm)
THERMAL CHARACTERISTICS
R θ JA
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient
(Note 2)
415
°C/W
FDG6324L Rev.D
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDG6331L | IC LOAD SWITCH INT 8V SC70-6 |
| FDG6342L | IC LOAD SWITCH INTEGRATED SC70-6 |
| FDMF6704A | MODULE DRMOS XS 40-MLP |
| FDMF6704 | IC DRMOS MODULE 1000KHZ 40-MLP |
| FDMF6705B | MOSFET DRMOS 40A 300KHZ 40PQFN |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDG6324L_Q | 功能描述:电源开关 IC - 配电 SC70-6 LD SW 3-20V RoHS:否 制造商:Exar 输出端数量:1 开启电阻（最大值）:85 mOhms 开启时间（最大值）:400 us 关闭时间（最大值）:20 us 工作电源电压:3.2 V to 6.5 V 电源电流（最大值）: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23-5 |
| FDG6331L | 功能描述:电源开关 IC - 配电 Integ. Load Switch RoHS:否 制造商:Exar 输出端数量:1 开启电阻（最大值）:85 mOhms 开启时间（最大值）:400 us 关闭时间（最大值）:20 us 工作电源电压:3.2 V to 6.5 V 电源电流（最大值）: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23-5 |
| FDG6331L_Q | 功能描述:电源开关 IC - 配电 Integ. Load Switch RoHS:否 制造商:Exar 输出端数量:1 开启电阻（最大值）:85 mOhms 开启时间（最大值）:400 us 关闭时间（最大值）:20 us 工作电源电压:3.2 V to 6.5 V 电源电流（最大值）: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23-5 |
| FDG6332C | 功能描述:MOSFET 20V N&P-Channel Power Trench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDG6332C"F085 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N AND P CH 20V 0.18OHM 700mA 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET, N AND P CH, 20V, 0.18OHM, 700mA, |
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