参数资料
| 型号： | FDG6331L |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC LOAD SWITCH INT 8V SC70-6 |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 Mold Compound Change 07/May/2008 |
| 标准包装： | 1 |
| 类型： | 高端开关 |
| 输出数： | 1 |
| Rds（开）： | 260 毫欧 |
| 内部开关： | 是 |
| 电流限制： | 800mA |
| 输入电压： | 2.5 V ~ 8 V |
| 工作温度： | -55°C ~ 150°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 供应商设备封装： | SC-70-6 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1216 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDG6331LDKR |
April 2001
FDG6331L
Integrated Load Switch
General Description
Features
This device is particularly suited for compact power
management in portable electronic equipment where
2.5V to 8V input and 0.8A output current capability are
needed. This load switch integrates a small N-Channel
? –0.8 A, –8 V.
R DS(ON) = 260 m ? @ V GS = –4.5 V
R DS(ON) = 330 m ? @ V GS = –2.5 V
R DS(ON) = 450 m ? @ V GS = –1.8 V
power MOSFET (Q1) that drives a large P-Channel
power MOSFET (Q2) in one tiny SC70-6 package.
Applications
? Power management
? Load switch
Q2
? Control MOSFET (Q1) includes Zener protection for
ESD ruggedness (>6KV Human body model)
? High performance trench technology for extremely
low R DS(ON)
? Compact industry standard SC70-6 surface mount
package
Equivalent Circuit
Vin,R1
4
3
Vout,C1
ON/OFF
5
2
Vout,C1
IN
+
V DROP –
OUT
Q1
Pin 1
R1,C1
6
1
R2
ON/OFF
SC70-6
Absolute Maximum Ratings
See Application Circuit
T A =25 o C unless otherwise noted
Symbol
V IN
V ON/OFF
Parameter
Gate-Source Voltage (Q2)
Gate-Source Voltage (Q1)
Ratings
± 8
–0.5 to 8
Units
V
V
I Load
Load Current
– Continuous
(Note 2)
–0.8
A
– Pulsed
(Note 2)
–2.4
P D
Maximum Power Dissipation
(Note 1)
0.3
W
T J , T STG
Operating and Storage Junction Temperature Range
–55 to +150
° C
Thermal Characteristics
R θ JA
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient
(Note 1a)
415
° C/W
Package Marking and Ordering Information
Device Marking
.31
Device
FDG6331L
Reel Size
7’’
Tape width
8mm
Quantity
3000 units
? 200 1 Fairchild Semiconductor Corporation
FDG6331L Rev B(W)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDG6342L | IC LOAD SWITCH INTEGRATED SC70-6 |
| FDMF6704A | MODULE DRMOS XS 40-MLP |
| FDMF6704 | IC DRMOS MODULE 1000KHZ 40-MLP |
| FDMF6705B | MOSFET DRMOS 40A 300KHZ 40PQFN |
| FDMF6705V | MODULE DRMOS 40A 1000KHZ 40PQFN |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDG6331L_Q | 功能描述:电源开关 IC - 配电 Integ. Load Switch RoHS:否 制造商:Exar 输出端数量:1 开启电阻（最大值）:85 mOhms 开启时间（最大值）:400 us 关闭时间（最大值）:20 us 工作电源电压:3.2 V to 6.5 V 电源电流（最大值）: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23-5 |
| FDG6332C | 功能描述:MOSFET 20V N&P-Channel Power Trench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDG6332C"F085 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N AND P CH 20V 0.18OHM 700mA 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET, N AND P CH, 20V, 0.18OHM, 700mA, |
| FDG6332C_F085 | 功能描述:MOSFET 20V N&P Chan PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDG6332C_G | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:LOW POWER MOSFET |
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