参数资料
| 型号： | FDG6331L |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC LOAD SWITCH INT 8V SC70-6 |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 Mold Compound Change 07/May/2008 |
| 标准包装： | 1 |
| 类型： | 高端开关 |
| 输出数： | 1 |
| Rds（开）： | 260 毫欧 |
| 内部开关： | 是 |
| 电流限制： | 800mA |
| 输入电压： | 2.5 V ~ 8 V |
| 工作温度： | -55°C ~ 150°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 供应商设备封装： | SC-70-6 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1216 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDG6331LDKR |
Typical Characteristics
1
V IN = -1.8V
1
V IN = -2.5V
0.8
V ON/OFF = -1.5-8V
PW = 300us, D < 2%
T J = 125 O C
0.8
V ON/OFF = -1.5-8V
PW = 300us, D < 2%
0.6
0.4
0.2
0
T J = 25 O C
0.6
0.4
0.2
0
T J = 125 O C
T J = 25 O C
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2
2.4
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2
2.4
1
-I L , (A)
Figure 1. Conduction Voltage Drop
Variation with Load Current.
0.6
-I L , (A)
Figure 2. Conduction Voltage Drop
Variation with Load Current.
T J = 125 C
0.8
0.6
V IN = -4.5V
V ON/OFF = -1.5-8V
PW = 300us, D < 2%
O
0.5
0.4
0.3
T J = 125 O C
I L = -1A
V ON/OFF = 1.5 - 8V
PW = 300us, D < 2%
0.4
0.2
0.2
T J = 25 O C
T J = 25 O C
0.1
0
0
0.4
0.8
1.2
-I L , (A)
1.6
2
2.4
0
1.25
2
2.75 3.5
-V IN , INPUT VOLTAGE (V)
4.25
5
Figure 3. Conduction Voltage Drop
Variation with Load Current.
Figure 4. On-Resistance Variation
With Input Voltage
FDG6331L Rev B (W)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDG6342L | IC LOAD SWITCH INTEGRATED SC70-6 |
| FDMF6704A | MODULE DRMOS XS 40-MLP |
| FDMF6704 | IC DRMOS MODULE 1000KHZ 40-MLP |
| FDMF6705B | MOSFET DRMOS 40A 300KHZ 40PQFN |
| FDMF6705V | MODULE DRMOS 40A 1000KHZ 40PQFN |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDG6331L_Q | 功能描述:电源开关 IC - 配电 Integ. Load Switch RoHS:否 制造商:Exar 输出端数量:1 开启电阻（最大值）:85 mOhms 开启时间（最大值）:400 us 关闭时间（最大值）:20 us 工作电源电压:3.2 V to 6.5 V 电源电流（最大值）: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23-5 |
| FDG6332C | 功能描述:MOSFET 20V N&P-Channel Power Trench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDG6332C"F085 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N AND P CH 20V 0.18OHM 700mA 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET, N AND P CH, 20V, 0.18OHM, 700mA, |
| FDG6332C_F085 | 功能描述:MOSFET 20V N&P Chan PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDG6332C_G | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:LOW POWER MOSFET |
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