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参数资料
| 型号： | FDG6342L |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC LOAD SWITCH INTEGRATED SC70-6 |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| 标准包装： | 1 |
| 类型： | 高端开关 |
| 输出数： | 1 |
| Rds（开）： | 150 毫欧 |
| 内部开关： | 是 |
| 电流限制： | 1.5A |
| 输入电压： | 2.5 V ~ 8 V |
| 工作温度： | -55°C ~ 150°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 供应商设备封装： | SC-70-6 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1216 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDG6342LDKR |
March 2008
FDG6342L
Integrated Load Switch
Features
Max r DS(on) = 150m ? at V GS = 4.5V, I D = –1.5A
Max r DS(on) = 195m ? at V GS = 2.5V, I D = –1.3A
Max r DS(on) = 280m ? at V GS = 1.8V, I D = –1.1A
Max r DS(on) = 480m ? at V GS = 1.5V, I D = –0.9A
Control MOSFET (Q1) includes Zener protection for ESD
ruggedness ( >4KV Human body model)
High performance trench technology for extremely low r DS(on)
Compact industry standard SC70-6 surface mount package
RoHS Compliant
tm
General Description
This device is particularly suited for compact power
management in portable electronic equipment where 2.5V to 8V
input and 1.5A output current capability are needed. This load
switch integrates a small N-Channel power MOSFET (Q1) that
drives a large P-Channel power MOSFET (Q2) in one tiny
SC70-6 package.
Applications
Power management
Load switch
Vin,R1
4
Q2
3
Vout,C1
Equivalent Circuit
ON/OFF
5
Q1
2
Vout,C1
IN
V DROP
OUT
R1,C1
6
1
R2
ON/OFF
Pin 1
SC70-6
See Application Circuit
MOSFET Maximum Ratings T A = 25°C unless otherwise noted
Symbol
V IN
V ON/OFF
Gate to Source Voltage (Q2)
Gate to Source Voltage (Q1)
Parameter
Ratings
±8
–0.5 to 8
Units
V
V
I Load
Load Current
-Continuous
-Pulsed
(Note 2)
(Note 2)
–1.5
–6
A
P D
T J , T STG
Power Dissipation for Single Operation
Operating and Storage Junction Temperature Range
(Note 1a)
(Note 1b)
0.36
0.3
–55 to +150
W
°C
Thermal Characteristics
R θ JA
R θ JA
Thermal Resistance, Junction to Ambient Single operation
Thermal Resistance, Junction to Ambient Single operation
(Note 1a)
(Note 1b)
350
415
°C/W
Package Marking and Ordering Information
Device Marking
.2L
Device
FDG6342L
Package
SC70-6
Reel Size
7’’
Tape Width
8mm
Quantity
3000units
?2008 Fairchild Semiconductor Corporation
FDG6342L Rev.B1
1
www.fairchildsemi.com
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDG8842CZ | 功能描述:MOSFET Q1:30V/Q2: -25V Cmpl PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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| FDG901D_Q | 功能描述:电源开关 IC - 配电 Control Driver IC P-Ch Slew Rate RoHS:否 制造商:Exar 输出端数量:1 开启电阻（最大值）:85 mOhms 开启时间（最大值）:400 us 关闭时间（最大值）:20 us 工作电源电压:3.2 V to 6.5 V 电源电流（最大值）: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23-5 |
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