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参数资料
| 型号： | FDH047AN08A0 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 75V 80A TO-247 |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告： | Lead Frame Change 20/Dec/2007 |
| 标准包装： | 150 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 75V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 80A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 4.7 毫欧 @ 80A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 138nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 6600pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 310W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247 |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | FDH047AN08A0-ND FDH047AN08A0FS |
Typical Characteristics T C = 25°C unless otherwise noted
1.2
200
CURRENT LIMITED
1.0
0.8
0.6
0.4
160
120
80
BY PACKAGE
0.2
40
0
0
25
50
75
100
125
150
175
0
25
50
75
100
125
150
175
T C , CASE TEMPERATURE ( o C)
Figure 1. Normalized Power Dissipation vs Case
Temperature
2
DUTY CYCLE - DESCENDING ORDER
T C , CASE TEMPERATURE ( o C)
Figure 2. Maximum Continuous Drain Current vs
Case Temperature
1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
P DM
0.1
t 1
t 2
NOTES:
0.01
SINGLE PULSE
DUTY FACTOR: D = t 1 /t 2
PEAK T J = P DM x Z θ JC x R θ JC + T C
10 -5
10 -4
10 -3
10 -2
10 -1
10 0
10 1
t, RECTANGULAR PULSE DURATION (s)
Figure 3. Normalized Maximum Transient Thermal Impedance
2000
1000
T C = 25 o C
FOR TEMPERATURES
ABOVE 25 o C DERATE PEAK
CURRENT AS FOLLOWS:
V GS = 10V
I = I 25
175 - T C
150
TRANSCONDUCTANCE
MAY LIMIT CURRENT
100
50
IN THIS REGION
10 -5
10 -4
10 -3
10 -2
10 -1
10 0
10 1
t, PULSE WIDTH (s)
Figure 4. Peak Current Capability
? 2003 Fairchild Semiconductor Corporation
FDP047AN08A0 / FDH047AN08A0 Rev. C2
3
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| P51-100-A-D-D-5V-000-000 | SENSOR 100PSI 7/16-20 UNF 1-5V |
| P51-75-A-D-D-5V-000-000 | SENSOR 75PSI 7/16-20 UNF 1-5V |
| P51-750-A-C-D-5V-000-000 | SENSOR 750PSI M12-1.5 6G 1-5V |
| P51-500-A-C-D-5V-000-000 | SENSOR 500PSI M12-1.5 6G 1-5V |
| P51-300-A-C-D-5V-000-000 | SENSOR 300PSI M12-1.5 6G 1-5V |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDH055N15A | 功能描述:MOSFET 150V N-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDH1000 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:High Conductance Switching Diodes |
| FDH1005 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
| FDH1040 | 制造商:TOKO 制造商全称:TOKO, Inc 功能描述:Fixed Inductors for Surface Mounting |
| FDH1040B | 制造商:TOKO 制造商全称:TOKO, Inc 功能描述:Fixed Inductors for Surface Mounting |
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