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参数资料
| 型号： | FDMC7570S |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 25V 40A POWER33 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench®, SyncFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 25V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 27A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 2 毫欧 @ 27A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 68nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4410pF @ 13V |
| 功率 - 最大： | 2.3W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-MLP，Power33 |
| 供应商设备封装： | Power33 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FDMC7570SDKR |
Typical Characteristics T J = 25 °C unless otherwise noted
120
90
V GS = 10 V
V GS = 4.5 V
V GS = 3.3 V
V GS = 3 V
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
6
5
4
V GS = 2.7 V
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
V GS = 3 V
60
3
V GS = 3.3 V
30
V GS = 2.7 V
2
V GS = 4.5 V
1
V GS = 10 V
0
0
1
2
3
4
5
0
0
30
60
90
120
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On-Region Characteristics
1.5
I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 2. Normalized On-Resistance
vs Drain Current and Gate Voltage
10
1.4
I D = 27 A
V GS = 10 V
8
I D = 27 A
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
6
4
2
T J = 125 o C
T J = 25 o C
0.8
-75
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
0
2
4
6
8
10
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( o C )
Figure 3. Normalized On- Resistance
vs Junction Temperature
120
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 4. On-Resistance vs Gate to
Source Voltage
200
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
100
V GS = 0 V
90
60
30
V DS = 5 V
T J = 125 o C
T J = 25 o C
T J = -55 o C
10
1
0.1
T J = 125 o C
T J = 25 o C
T J = -55 o C
0
0.01
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 5. Transfer Characteristics
V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 6. Source to Drain Diode
Forward Voltage vs Source Current
FDMC7570S Rev.C
3
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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| FDMC7660_12 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel PowerTrench?? MOSFET 30 V, 20 A, 2.2 m?? |
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