参数资料
型号: FDMF6705B
厂商: Fairchild Semiconductor
文件页数: 11/19页
文件大小: 0K
描述: MOSFET DRMOS 40A 300KHZ 40PQFN
标准包装: 1
系列: XS™ DrMOS
类型: 高端/低端驱动器
输入类型: PWM
输出数: 1
电流 - 峰值输出: 40A
电源电压: 4.5 V ~ 5.5 V
工作温度: -40°C ~ 125°C
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 40-PowerTFQFN
供应商设备封装: 40-PQFN(6x6)
包装: 标准包装
其它名称: FDMF6705BDKR
Typical Performance Characteristics (Continued)
Test Conditions: V IN =12 V, V OUT =1.0 V, V CIN =5 V, V DRV =5 V, L OUT =320 nH, T A =25°C, and natural convection cooling,
unless otherwise specified.
11.5
V CIN = 5V
11.0
I PLD
10.5
10.0
9.5
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
Driver IC Junction Temperature, T J (°C)
Figure 24. DISB# Pull-Down Current vs. Temperature
? 2011 Fairchild Semiconductor Corporation
FDMF6705B ? Rev. 1.0.3
11
www.fairchildsemi.com
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PDF描述
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参数描述
FDMF6705V 功能描述:功率驱动器IC XS DrMOS; Hi-Freq Hi-Perf Module RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
FDMF6706B 功能描述:功率驱动器IC Xtra-Small Hi-Perf Hi-Freq DrMOS Module RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
FDMF6706C 功能描述:功率驱动器IC XS DrMOS; Hi-Freq Hi-Perf Module RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
FDMF6707B 功能描述:功率驱动器IC XS DrMOS; Hi-Freq Hi-Perf Module RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
FDMF6707C 功能描述:功率驱动器IC Xtra-Small Hi-Perf Hi-Freq DrMOS Module RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube