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参数资料
| 型号： | FDMF8704V |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 7/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MOD DVR/FET W/VREG 56MLP 8X8 |
| 标准包装： | 1 |
| 类型： | 高端/低端驱动器 |
| 输入类型： | PWM |
| 输出数： | 1 |
| 电流 - 输出 / 通道： | 32A |
| 电流 - 峰值输出： | 65A |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | -55°C ~ 150°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 56-MLP |
| 供应商设备封装： | 56-MLP（8x8） |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1216 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDMF8704VDKR |
Typical Characteristics
V IN = 12V, V CIN = 5V, T A = 25°C unless otherwise noted.
1.06
1.0
V CIN = 5V
0.9
DISB = 5V
1.04
0.8
PWM = 5V
1.02
0.7
0.6
1.00
V IN = 12V
V OUT = 1.3V
I OUT = 30A
0.5
PWM = 0V
f SW = 1MHz
0.98
0.4
0.0
0.2
0.4 0.6
Output Inductance, uH
0.8
1.0
-50
-25
0
25 50
Temperature, o C
75
100
125
50
Figure 12. Power Loss vs. Output Inductance
V CIN = 5V
1.83
Figure 13. Driver Supply Current vs. Temperature
V CIN = 5V
40
30
20
10
0
1.81
1.79
1.77
1.75
V IH
V IL
0
200
400
f SW , KHz
600
800
1000
-50
-25
0
25 50
Temperature, o C
75
100
125
1.90
1.85
1.80
Figure 14. Driver Supply Current vs. Frequency
V CIN = 5V
V IH
Figure 15. PWM Threshold Voltage vs. Temperature
1.75
1.70
1.65
V IL
-50
-25
0
25 50
Temperature, o C
75
100
125
Figure 16. DISB Threshold Voltage vs. Temperature
FDMF8704V Rev. G
7
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDMF8704 | IC MODULE DRIVER/FET 56MLP 8X8 |
| FDY6342L | IC LOAD SWITCH 8V -0.83A SC89-6 |
| FL7930CM | IC PFC CTLR FLYBACK/BOUND 8SOICN |
| FOD060L | OPTOCOUPLER LOGIC 3.3V 8-SOIC |
| FOD0721 | IC OPTOCOUPLER 25MBIT 8-SOP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDMF8705 | 功能描述:功率驱动器IC MLP 8X8 DRIVER PLUS FET MULTI-CHIP MODU RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| FDMH000C11L-YW | 制造商:Thomas & Betts 功能描述:HAZ3FLD,1000W,M.H.,5 TAP BALST |
| FDMHP17C070-YWE | 制造商:Thomas & Betts 功能描述:HZ FDMHP17C070YWE HAZ3,FLD,175W,M.H |
| FDMJ1023PZ | 功能描述:MOSFET -20V Dual P-Channel PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMJ1027P | 功能描述:MOSFET -20V -2.4A PCH 1.8V SPECIF RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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