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参数资料
| 型号： | FDMS2504SDC |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 5/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 25V 42A POWER56 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | Dual Cool™, PowerTrench®, SyncFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 25V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 42A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 1.25 毫欧 @ 32A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 119nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 7770pF @ 13V |
| 功率 - 最大： | 3.3W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-PQFN，Power56 |
| 供应商设备封装： | Power56 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FDMS2504SDCDKR |
Typical Characteristics T J = 25 °C unless otherwise noted
10
8000
8
I D = 32 A
C iss
V DD = 13 V
6
4
V DD = 10 V
V DD = 16 V
1000
C oss
2
f = 1 MHz
0
0
15
30
45
60
75
90
200
0.1
V GS = 0 V
1
10
C rss
30
Q g , GATE CHARGE (nC)
Figure 7. Gate Charge Characteristics
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 8. Capacitance vs Drain
to Source Voltage
R θ JC = 1.2 C/W
40
250
V GS = 10 V
o
200
T J = 25 o C
10
150
T J = 125 o C
T J =
100 o C
100
50
V GS = 4.5 V
Limited by package
1
0.01
0.1
1
10
100
1000
0
25
50
75
100
125
150
T C , CASE TEMPERATURE ( C )
t AV , TIME IN AVALANCHE (ms)
Figure 9. Unclamped Inductive Switching Capability
500
o
Figure 10. Maximum Continuous Drain
Current vs Case Temperature
10000
SINGLE PULSE
R θ JA = 81 C/W
T A = 25 C
100
10
1
THIS AREA IS
LIMITED BY rDS ( on )
SINGLE PULSE
100 us
1 ms
10 ms
100 ms
1s
1000
100
10
o
o
0.1
T J = MAX RATED
R θ JA = 81 o C/W
T A = 25 o C
10 s
DC
1
10
10
10
10
0.01
0.01
0.1
1
10
100 200
0.5
-4
-3
-2
-1
1
10
100
1000
V DS , DRAIN to SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 11. Forward Bias Safe
Operating Area
t, PULSE WIDTH (sec)
Figure 12. Single Pulse Maximum
Power Dissipation
?2010 Fairchild Semiconductor Corporation
FDMS2504SDC Rev.C1
5
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDMS2506SDC | 功能描述:MOSFET 25V N-Chan Dual Cool PowerTrench SyncFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMS2508SDC | 功能描述:MOSFET 25V N-Chan Dual Cool PowerTrench SyncFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMS2510SDC | 功能描述:MOSFET 20V N-Chan Dual Cool PowerTrench SyncFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMS2572 | 功能描述:MOSFET LOW_VOLTAGE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMS2572 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET |
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