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参数资料
| 型号： | FDMS3620S |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 10/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 25V DUAL 8-PQFN |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | 2 N 沟道（双）非对称型 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 25V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 17.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 4.7 毫欧 @ 17.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 26nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1570pF @ 13V |
| 功率 - 最大： | 1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-PowerTDFN |
| 供应商设备封装： | Power56 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FDMS3620SFSDKR |
Typical Characteristics (Q2 N-Channel)
SyncFET Schottky body diode
Characteristics
10
Fairchild’s SyncFET process embeds a Schottky diode in parallel
with PowerTrench MOSFET. This diode exhibits similar
characteristics to a discrete external Schottky diode in parallel
with a MOSFET. Figure 27 shows the reverse recovery
characteristic of the FDMS3620S.
45
40
Schottky barrier diodes exhibit significant leakage at high tem-
perature and high reverse voltage. This will increase the power
in the device.
-2
10
10
10
35
30
25
20
15
10
5
0
di/dt = 300 A/ μ s
-3
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T J = 125 o C
T J = 100 o C
T J = 25 o C
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0
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25
TIME (ns)
Figure 27. FDMS3620S SyncFET body
diode reverse recovery characteristic
V DS , REVERSE VOLTAGE (V)
Figure 28. SyncFET body diode reverse
leakage versus drain-source voltage
?2012 Fairchild Semiconductor Corporation
FDMS3620S Rev.C1
10
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDMS3624S | MOSFET N-CH 25V DUAL 8-PQFN |
| FDMS3626S | MOSFET N-CH 25V DUAL 8-PQFN |
| FDMS3660S | MOSFET N-CH 30V DUAL 8-PQFN |
| FDMS3662 | MOSFET N-CH 100V 8.9A POWER56 |
| FDMS3664S | MOSFET N-CH 30V DUAL 8-PQFN |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDMS3622S | 功能描述:MOSFET PowerStage 25V Dual N-Channel MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMS3624S | 功能描述:MOSFET 25V PowerTrench Power Stage RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMS3626S | 功能描述:MOSFET 25V Dual N-Channel MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMS3660AS | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:PT7 30/20 & PT8 N S 30/12V IN PQFN56 DUAL - Tape and Reel 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N-CH DUAL 30V 8QFN 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:TAPE REEL / PT7 30/20 & PT8 N S 30/12V in PQFN56 Dual |
| FDMS3660S | 功能描述:MOSFET PowerStage Dual N-Ch PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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