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参数资料
| 型号： | FDMS3662 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 1/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 8.9A POWER56 |
| 产品变化通告： | Power 56 Pkg/Design Change 14/Apr/2009 |
| 产品目录绘图： | Power56 Single |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 8.9A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 14.8 毫欧 @ 8.9A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 75nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4620pF @ 50V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-PQFN，Power56 |
| 供应商设备封装： | Power56 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1609 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDMS3662DKR |
November 2013
FDMS3662
N-Channel Power Trench ? MOSFET
100V, 39A, 14.8m Ω
Features
Max r DS(on) = 14.8m Ω at V GS = 10V, I D = 8.9A
Advanced Package and Silicon combination for low r DS(on)
MSL1 robust package design
100% UIL Tested
RoHS Compliant
General Description
This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild
Semiconductor‘s advanced Power Trench ? process that has
been especially tailored to minimize the on-state resistance and
yet maintain superior switching performance.
Application
DC - DC Conversion
Top
Bottom
Pin 1
D
D
D
D
S
S
S
Pin 1
G
S
S
S
G
D
D
D
D
Power 56
MOSFET Maximum Ratings T A = 25°C unless otherwise noted
Symbol
V DS
V GS
Drain to Source Voltage
Gate to Source Voltage
Drain Current -Continuous
Parameter
T C = 25°C
Ratings
100
±20
39
Units
V
V
I D
-Continuous
T A = 25°C
(Note 1a)
8.9
A
-Pulsed
90
E AS
Single Pulse Avalanche Energy
(Note 3)
384
mJ
P D
Power Dissipation
Power Dissipation
T C = 25°C
T A = 25°C
(Note 1a)
104
2.5
W
T J , T STG
Operating and Storage Junction Temperature Range
-55 to +150
°C
Thermal Characteristics
R θ JC
R θ JA
Thermal Resistance, Junction to Case
Thermal Resistance, Junction to Ambient
(Note 1a)
1.2
50
°C/W
Package Marking and Ordering Information
Device Marking
FDMS3662
Device
FDMS3662
Package
Power 56
Reel Size
13’’
Tape Width
12mm
Quantity
3000 units
?2009 Fairchild Semiconductor Corporation
FDMS3662 Rev.C2
1
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| FDMS3668S | 功能描述:MOSFET PowerStage Dual N-Ch PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMS3669S | 功能描述:MOSFET 30V Asymmetric Dual N-Channel Pwr Trench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMS3672 | 功能描述:MOSFET 100V N-Ch UltraFET PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMS3686S | 功能描述:MOSFET 30V Asymmetric 2xNCh PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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