参数资料
型号: FDMS3662
厂商: Fairchild Semiconductor
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文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 100V 8.9A POWER56
产品变化通告: Power 56 Pkg/Design Change 14/Apr/2009
产品目录绘图: Power56 Single
标准包装: 1
系列: PowerTrench®
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 8.9A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 14.8 毫欧 @ 8.9A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 4.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 75nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 4620pF @ 50V
功率 - 最大: 2.5W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-PQFN,Power56
供应商设备封装: Power56
包装: 标准包装
产品目录页面: 1609 (CN2011-ZH PDF)
其它名称: FDMS3662DKR
Typical Characteristics T J = 25°C unless otherwise noted
2
1
DUTY CYCLE-DESCENDING ORDER
D = 0.5
0.1
0.01
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
P DM
t 1
t 2
0.001
SINGLE PULSE
NOTES:
Z θ JA (t) = r(t) x R θ JA
R θ JA = 125 °C/W
Peak T J = P DM x Z θ JA (t) + T A
Duty Cycle, D = t 1 / t 2
0.0001
10
10
10
-3
-2
-1
1
10
100
1000
t, RECTANGULAR PULSE DURATION (sec)
Figure 13. Transient Thermal Response Curve
?2009 Fairchild Semiconductor Corporation
FDMS3662 Rev.C2
5
www.fairchildsemi.com
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FDMS3668S 功能描述:MOSFET PowerStage Dual N-Ch PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
FDMS3669S 功能描述:MOSFET 30V Asymmetric Dual N-Channel Pwr Trench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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