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参数资料
| 型号： | FDMS3672 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 1/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 7.4A POWER56-8 |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品目录绘图： | Power56 Single |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | UltraFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 7.4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 23 毫欧 @ 7.4A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 44nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2680pF @ 50V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-MLP，Power56 |
| 供应商设备封装： | Power56 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1609 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDMS3672DKR |
FDMS3672
N-Channel UltraFET Trench MOSFET
100V, 22A, 23m ?
February 2007
Features
General Description
Max r DS(on) = 23m ? at V GS = 10V, I D = 7.4A
UItraFET devices combine characteristics
that enable
Max r DS(on) = 29m ? at V GS = 6V, I D = 6.6A
Typ Qg = 31nC at V GS = 10V
Low Miller Charge
Optimized efficiency at high frequencies
RoHS Compliant
benchmark efficiency in power conversion applications.
Optimized for r DS(on) , low ESR, low total and Miller gate charge,
these devices are ideal for high frequency DC to DC converters.
Application
DC - DC Conversion
Pin 1
D
S
D
S
D
S
D
G
D
D
D
D
5
6
7
8
4 G
3 S
2 S
1 S
Power56 (Bottom view)
MOSFET Maximum Ratings T A = 25°C unless otherwise noted
Symbol
V DS
V GS
Parameter
Drain to Source Voltage
Gate to Source Voltage
Drain Current -Continuous (Package limited)
T C = 25°C
Ratings
100
±20
22
Units
V
V
I D
-Continuous (Silicon limited)
-Continuous
T C = 25°C
T A = 25°C
(Note 1a)
41
7.4
A
-Pulsed
30
P D
Power Dissipation
Power Dissipation
T C = 25°C
T A = 25°C
(Note 1a)
78
2.5
W
T J , T STG
Operating and Storage Junction Temperature Range
-55 to +150
° C
Thermal Characteristics
R θ JC
R θ JA
Thermal Resistance, Junction to Case
Thermal Resistance, Junction to Ambient
(Note 1a)
1.6
50
°C/W
Package Marking and Ordering Information
Device Marking
FDMS3672
Device
FDMS3672
Package
Power 56
Reel Size
13’’
Tape Width
12mm
Quantity
3000 units
?2007 Fairchild Semiconductor Corporation
FDMS3672 Rev.C1
1
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDMS3686S | 功能描述:MOSFET 30V Asymmetric 2xNCh PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMS4435BZ | 功能描述:MOSFET P-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMS5352 | 功能描述:MOSFET 60V N-Channel PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMS5672 | 功能描述:MOSFET 60V N-ChUltraFET PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMS5672_0712 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel UltraFET Trench㈢ MOSFET |
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