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参数资料
| 型号： | FDMS6673BZ |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 1/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 30V 15.2A POWER56 |
| 产品变化通告： | Power 56 Pkg/Design Change 14/Apr/2009 |
| 产品目录绘图： | Power56 Single |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 15.2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 6.8 毫欧 @ 15.2A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 130nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 5915pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-PQFN，Power56 |
| 供应商设备封装： | Power56 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1609 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDMS6673BZDKR |
August 2009
FDMS6673BZ
P-Channel PowerTrench ? MOSFET
-30 V, -28 A, 6.8 m
Features
General Description
Max r DS(on) = 6.8 m
Max r DS(on) = 12.5 m
at V GS = -10 V, I D = -15.2 A
at V GS = -4.5 V, I D = -11.2 A
The FDMS6673BZ has been designed to minimize losses in load
switch applications. Advancements in both silicon and package
technologies have been combined to offer the lowest r DS(on) and
Advanced Package and Silicon combination
for low r DS(on)
HBM ESD protection level of 8 kV typical(note 3)
MSL1 robust package design
RoHS Compliant
Top
Bottom
ESD protection.
Applications
Load Switch in Notebook and Server
Notebook Battery Pack Power Management
S
S
S
Pin 1
G
D
D
5
6
4
3
G
S
D
7
2
S
D
D
D
D
D
8
1
S
Power 56
MOSFET Maximum Ratings T C = 25 °C unless otherwise noted
Symbol
V DS
V GS
Parameter
Drain to Source Voltage
Gate to Source Voltage
Drain Current -Continuous (Package limited)
T C = 25 °C
Ratings
-30
±25
-28
Units
V
V
I D
-Continuous (Silicon limited)
-Continuous
T C = 25 °C
T A = 25 °C
(Note 1a)
-90
-15.2
A
-Pulsed
-120
P D
Power Dissipation
Power Dissipation
T C = 25 °C
T A = 25 °C
(Note 1a)
73
2.5
W
T J , T STG
Operating and Storage Junction Temperature Range
-55 to +150
°C
Thermal Characteristics
R
R
JC
JA
Thermal Resistance, Junction to Case
Thermal Resistance, Junction to Ambient
(Note 1a)
1.7
50
°C/W
Package Marking and Ordering Information
Device Marking
FDMS6673BZ
Device
FDMS6673BZ
Package
Power 56
Reel Size
13 ’’
Tape Width
12 mm
Quantity
3000 units
?2009 Fairchild Semiconductor Corporation
FDMS6673BZ Rev C3
1
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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