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参数资料
| 型号： | FDMS6681Z |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 1/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 30V 21.1A POWER56 |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告： | Power 56 Pkg/Design Change 14/Apr/2009 |
| 产品目录绘图： | Power56 Single |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 21.1A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 3.2 毫欧 @ 22.1A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 241nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 10380pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-PQFN，Power56 |
| 供应商设备封装： | Power56 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1609 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDMS6681ZDKR |
May 2009
FDMS6681Z
P-Channel PowerTrench ? MOSFET
-30 V, -49 A, 3.2 m
Features
General Description
Max r DS(on) = 3.2 m
at V GS = -10 V, I D = -21.1 A
The FDMS6681Z has been designed to minimize losses in load
Max r DS(on) = 5.0 m at V GS = -4.5 V, I D = -15.7 A
Advanced Package and Silicon combination
for low r DS(on)
switch applications. Advancements in both silicon and package
technologies have been combined to offer the lowest r DS(on) and
ESD protection.
HBM ESD protection level of 8kV typical(note 3)
MSL1 robust package design
RoHS Compliant
Top
Bottom
Applications
Load Switch in Notebook and Server
Notebook Battery Pack Power Management
S
S
S
Pin 1
G
D
D
5
6
4
3
G
S
D
D
D
D
D
D
7
8
2
1
S
S
Power 56
MOSFET Maximum Ratings T A = 25 °C unless otherwise noted
Symbol
V DS
V GS
Parameter
Drain to Source Voltage
Gate to Source Voltage
Drain Current -Continuous (Package limited)
T C = 25 °C
Ratings
-30
±25
-49
Units
V
V
I D
-Continuous (Silicon limited)
-Continuous
T C = 25 °C
T A = 25 °C
(Note 1a)
-116
-21.1
A
-Pulsed
-90
P D
Power Dissipation
Power Dissipation
T C = 25 °C
T A = 25 °C
(Note 1a)
73
2.5
W
T J , T STG
Operating and Storage Junction Temperature Range
-55 to +150
°C
Thermal Characteristics
R
R
JC
JA
Thermal Resistance, Junction to Case
Thermal Resistance, Junction to Ambient
(Note 1a)
1.7
50
°C/W
Package Marking and Ordering Information
Device Marking
FDMS6681Z
Device
FDMS6681Z
Package
Power 56
Reel Size
13 ’’
Tape Width
12 mm
Quantity
3000 units
?2009 Fairchild Semiconductor Corporation
FDMS6681Z Rev.C4
1
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDMS7556S | MOSFET N-CH 25V 35A POWER56 |
| FDMS7560S | MOSFET N-CH 25V 30A POWER56 |
| FDMS7570S | MOSFET N-CH 25V 28A POWER56 |
| FDMS7572S | MOSFET N-CH 25V 23A POWER56 |
| FDMS7578 | MOSFET N-CH 25V 17A POWER56 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| FDMS7560S | 功能描述:MOSFET 25V N-Channel PowerTrench SyncFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMS7570S | 功能描述:MOSFET 25V N-Channel PowerTrench SyncFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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