参数资料
型号: FDMS6681Z
厂商: Fairchild Semiconductor
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描述: MOSFET P-CH 30V 21.1A POWER56
产品培训模块: High Voltage Switches for Power Processing
产品变化通告: Power 56 Pkg/Design Change 14/Apr/2009
产品目录绘图: Power56 Single
标准包装: 1
系列: PowerTrench®
FET 型: MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 21.1A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 3.2 毫欧 @ 22.1A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 3V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 241nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 10380pF @ 15V
功率 - 最大: 2.5W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-PQFN,Power56
供应商设备封装: Power56
包装: 标准包装
产品目录页面: 1609 (CN2011-ZH PDF)
其它名称: FDMS6681ZDKR
Dimensional Outline and Pad Layout
?2009 Fairchild Semiconductor Corporation
FDMS6681Z Rev.C4
6
www.fairchildsemi.com
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PDF描述
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参数描述
FDMS6682Z 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:
FDMS7556S 功能描述:MOSFET 25V N-Channel PowerTrench SyncFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
FDMS7558S 功能描述:MOSFET 25V N-Channel PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
FDMS7560S 功能描述:MOSFET 25V N-Channel PowerTrench SyncFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
FDMS7570S 功能描述:MOSFET 25V N-Channel PowerTrench SyncFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube