- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录421 > FDMS6673BZ (Fairchild Semiconductor)MOSFET P-CH 30V 15.2A POWER56 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | FDMS6673BZ |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 30V 15.2A POWER56 |
| 产品变化通告： | Power 56 Pkg/Design Change 14/Apr/2009 |
| 产品目录绘图： | Power56 Single |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 15.2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 6.8 毫欧 @ 15.2A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 130nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 5915pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-PQFN，Power56 |
| 供应商设备封装： | Power56 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1609 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDMS6673BZDKR |
Typical Characteristics T J = 25 °C unless otherwise noted
10
8
6
I D = -15.2 A
V DD = 10 V
V DD = 15 V
V DD = 20 V
10000
C iss
4
2
0
1000
300
f = 1 MHz
V GS = 0 V
C oss
C rss
0
20
40
60
80
100
0.1
1
10
30
Q g , GATE CHARGE (nC)
Figure 7. Gate Charge Characteristics
50
100
80
-V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 8. Capacitance vs Drain
to Source Voltage
10
60
V GS = 10 V
T J
= 100 o C
T J
= 25 o C
40
V GS = 4.5 V
T J =
125 o C
20
Limited by Package
JC = 1.7
C/W
1
0.01
0.1
1
10
100 200
0
25
R
o
50
75
100
125
150
T C , CASE TEMPERATURE ( C )
10
200
t AV , TIME IN AVALANCHE (ms)
Figure 9. Unclamped Inductive
Switching Capability
o
Figure 10. Maximum Continuous Drain
Current vs Case Temperature
-4
10
100
10
100 us
1 ms
-5
V GS = 0 V
T J = 125 o C
10
10 ms
-6
10
1
THIS AREA IS
LIMITED BY r DS(on)
100 ms
-7
T J = 25 o C
SINGLE PULSE
1s
R
JA = 125
C/W
10
10
0.1
0.01
0.01
T J = MAX RATED
o
T A = 25 o C
0.1
1
10
10 s
DC
100 200
-8
-9
0
5
10
15
20
25
30
-V DS , DRAIN to SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 11. Forward Bias Safe
Operating Area
-V GS, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 12. Igss vs Vgss
?2009 Fairchild Semiconductor Corporation
FDMS6673BZ Rev C3
4
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDMS6681Z | MOSFET P-CH 30V 21.1A POWER56 |
| FDMS7556S | MOSFET N-CH 25V 35A POWER56 |
| FDMS7560S | MOSFET N-CH 25V 30A POWER56 |
| FDMS7570S | MOSFET N-CH 25V 28A POWER56 |
| FDMS7572S | MOSFET N-CH 25V 23A POWER56 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDMS6681Z | 功能描述:MOSFET -30V P-Channel PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMS6682Z | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
| FDMS7556S | 功能描述:MOSFET 25V N-Channel PowerTrench SyncFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMS7558S | 功能描述:MOSFET 25V N-Channel PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMS7560S | 功能描述:MOSFET 25V N-Channel PowerTrench SyncFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。