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参数资料
| 型号： | FDMS3672 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 7.4A POWER56-8 |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品目录绘图： | Power56 Single |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | UltraFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 7.4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 23 毫欧 @ 7.4A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 44nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2680pF @ 50V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-MLP，Power56 |
| 供应商设备封装： | Power56 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1609 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDMS3672DKR |
Typical Characteristics T J = 25°C unless otherwise noted
60
3.0
50
40
V GS = 10V
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5%MAX
V GS = 8V
2.5
V GS = 5V
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5%MAX
V GS = 6V
30
V GS = 6V
2.0
20
1.5
V GS = 8V
10
0
V GS = 5V
1.0
0.5
V GS = 10V
0.0
0.5 1.0 1.5 2.0 2.5
3.0
0
10
20 30 40
50
60
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On-Region Characteristics
I D , DRAIN CURRENT(A)
Figure 2. Normalized On-Resistance
vs Drain Current and Gate Voltage
2.0
1.8
1.6
1.4
I D = 7.4A
V GS = 10V
60
50
40
I D = 7.4A PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5%MAX
T J = 150 o C
1.2
1.0
0.8
30
T J = 25 o C
20
0.6
0.4
-50
-25
0 25 50 75 100 125
150
10
4.5
6.0 7.5 9.0
10
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( o C )
Figure 3. Normalized On- Resistance
vs Junction Temperature
30
PULSE DURATION = 80 μ s
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 4. On-Resistance vs Gate to
Source Voltage
100
V GS = 0V
25
DUTY CYCLE = 0.5%MAX
10
20
15
T J =
150 o C
1
T J = 150 o C
T J = 25 o C
0.1
10
T J = 25 o C
5
0
T J = -55 o C
0.01
1E-3
T J = -55 o C
2
3 4 5 6 7
8
0.0
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0
1.2
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 5. Transfer Characteristics
V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 6. Source to Drain Diode
Forward Voltage vs Source Current
FDMS3672 Rev.C1
3
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDMS3686S | MOSFET N-CH 30V DUAL 8-PQFN |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDMS3686S | 功能描述:MOSFET 30V Asymmetric 2xNCh PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMS4435BZ | 功能描述:MOSFET P-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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| FDMS5672 | 功能描述:MOSFET 60V N-ChUltraFET PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMS5672_0712 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel UltraFET Trench㈢ MOSFET |
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