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参数资料
| 型号： | FDMS5352 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 13.6A POWER56 |
| 产品变化通告： | Power 56 Pkg/Design Change 14/Apr/2009 |
| 产品目录绘图： | Power56 Single |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 13.6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 6.7 毫欧 @ 13.6A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 131nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 6940pF @ 30V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-PQFN，Power56 |
| 供应商设备封装： | Power56 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1609 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDMS5352DKR |
Typical Characteristics T J = 25°C unless otherwise noted
10
8
I D = 13.6A
10000
C iss
V DD = 30V
6
V DD = 20V
V DD = 40V
1000
C oss
4
2
0
100
f = 1MHz
V GS = 0V
C rss
0
20
40
60
80
100
0.1
1
10
100
Q g , GATE CHARGE(nC)
Figure 7. Gate Charge Characteristics
20
90
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 8. Capacitance vs Drain
to Source Voltage
75
10
T J = 25 o C
60
45
Limited by Package
V GS = 4.5V
V GS = 10V
JC = 1.2
C/W
T J =
125 o C
30
R
o
15
1
0
0.1
1
10
100
500
25
50
75
100
125
150
T C , CASE TEMPERATURE ( C )
200
t AV , TIME IN AVALANCHE(ms)
Figure 9. Unclamped Inductive
Switching Capability
o
Figure 10. Maximum Continuous Drain
Current vs Case Temperature
1000
100
V GS = 10V
SINGLE PULSE
R JA = 125 o C/W
10
1ms
100
T A = 25 o C
10ms
1
THIS AREA IS
LIMITED BY r DS(on)
SINGLE PULSE
100ms
10
0.1
T J = MAX RATED
1s
JA = 125
C/W
R
10
10
10
0.01
0.01
T A = 25 o C
0.1 1
o
10
10s
DC
100 300
1
0.5
-3
-2
-1
1
10
100
1000
V DS , DRAIN to SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 11. Forward Bias Safe
Operating Area
t, PULSE WIDTH (sec)
Figure 12. Single Pulse Maximum
Power Dissipation
?2009 Fairchild Semiconductor Corporation
FDMS5352 Rev.C1
4
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| FDMS6682Z | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
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