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参数资料
| 型号： | FDMS7660 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 25A POWER56 |
| 产品变化通告： | Power 56 Pkg/Design Change 14/Apr/2009 |
| 产品目录绘图： | Power56 Single |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 25A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 2.8 毫欧 @ 25A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 84nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 5565pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-PowerTDFN |
| 供应商设备封装： | 8-PQFN（5X6），Power56 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FDMS7660DKR |
Typical Characteristics T J = 25°C unless otherwise noted
10
I D = 25 A
10000
8
6
V DD = 15 V
1000
C iss
C oss
4
V DD = 10 V
V DD = 20 V
2
100
f = 1 MHz
V GS = 0 V
C rss
0
0
15
30
45
60
10
0.1
1
10
30
Q g , GATE CHARGE (nC)
Figure 7. Gate Charge Characteristics
100
150
120
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 8. Capacitance vs Drain
to Source Voltage
V GS = 10 V
T J
= 25 o C
90
10
T J = 125 o C
T J = 100 o C
60
30
V GS = 4.5 V
R θ JC = 1.6 C/W
Limited by Package
o
1
0.01
0.1
1
10
100
1000
0
25
50
75
100
125
150
T c , CASE TEMPERATURE ( C )
500
100
t AV , TIME IN AVALANCHE (ms)
Figure 9. Unclamped Inductive
Switching Capability
100 us
o
Figure 10. Maximum Continuous Drain
Current vs Case Temperature
2000
1000
V GS = 10 V
SINGLE PULSE
10
1 ms
100
R θ JA = 125 o C/W
T A = 25 o C
T A = 25 C
1
0.1
THIS AREA IS
LIMITED BY r DS(on)
SINGLE PULSE
T J = MAX RATED
R θ JA = 125 o C/W
o
10 ms
100 ms
1s
10 s
DC
10
1
10
10
10
10
0.01
0.01
0.1
1
10
100
0.5
-4
-3
-2
-1
1
10
100
1000
V DS , DRAIN to SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 11. Forward Bias Safe
Operating Area
t, PULSE WIDTH (sec)
Figure 12. Single Pulse Maximum
Power Dissipation
?2009 Fairchild Semiconductor Corporation
FDMS7660 Rev. D
4
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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