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参数资料
| 型号： | FDMS7682 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 22A POWER56 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 16A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 6.3 毫欧 @ 14A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 30nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1885pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-PQFN，Power56 |
| 供应商设备封装： | Power56 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FDMS7682DKR |
Typical Characteristics T J = 25 °C unless otherwise noted
80
V GS = 4.5 V
5
V GS = 3.5 V
60
V GS = 10 V
V GS = 4 V
4
3
V GS = 4 V
40
V GS = 5 V
2
V GS = 4.5 V
V GS = 3.5 V
20
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
1
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
V GS = 5 V
V GS = 10 V
0
0
0
1
2
3
0
20
40
60
80
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On Region Characteristics
1.6
I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 2. Normalized On-Resistance
vs Drain Current and Gate Voltage
25
1.5
1.4
I D = 14 A
V GS = 10 V
20
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
I D = 14 A
1.3
1.2
15
1.1
1.0
10
T J = 125 o C
0.9
0.8
5
T J = 25 o C
0.7
-75
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
0
2
4
6
8
10
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( o C )
Figure 3. Normalized On Resistance
vs Junction Temperature
80
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 4. On-Resistance vs Gate to
Source Voltage
100
V GS = 0 V
60
40
V DS = 5 V
10
1
T J = 150 o C
T J = 25 o C
20
T J = 150 o C
T J = 25 o C
0.1
0
T J =
-55 o C
0.01
T J = -55 o C
1
2
3
4
5
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 5. Transfer Characteristics
V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 6. Source to Drain Diode
Forward Voltage vs Source Current
FDMS7682 Rev . C
3
www.fairchildsemi.com
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PDF描述 |
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