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参数资料
| 型号： | FDMS7700S |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 5/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET 2N-CH 30V POWER56 |
| 产品目录绘图： | 8-MLP, Power33, 56 Dual |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 30A，40A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 7.5 毫欧 @ 12A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 28nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1750pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | Power56 |
| 供应商设备封装： | Power56 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1609 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDMS7700SDKR |
Typical Characteristics (Q1 N-Channel) T J = 25°C unless otherwise noted
10
I D = 12 A
2000
8
6
V DD = 10 V
V DD = 15 V
1000
C iss
C oss
4
2
V DD = 20 V
100
f = 1 MHz
C rss
0
0
5
10
15
20
V GS = 0 V
10
0.1
1
10
30
Q g , GATE CHARGE (nC)
Figure 7. Gate Charge Characteristics
60
100
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 8. Capacitance vs Drain
to Source Voltage
R θ JC = 3.5 C/W
40
V GS = 4.5 V
V GS = 10 V
o
10
100us
1 ms
1
THIS AREA IS
LIMITED BY rDS ( on )
10 ms
100 ms
R θ JA = 125 C/W
20
Limited by Package
0.1
SINGLE PULSE
T J = MAX RATED
o
T A = 25 o C
1s
10s
DC
0
0.01
25
50
75
100
125
150
0.01
0.1
1
10
100 200
T C , CASE TEMPERATURE ( C )
o
Figure 9. Maximum Continuous Drain
Current vs Case Temperature
V DS , DRAIN to SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 10. Forward Bias Safe
Operating Area
R θ JA = 125 C/W
1000
SINGLE PULSE
o
T A = 25 C
100
10
1
0.5
o
10
10
10
10
-4
-3
-2
-1
1
10
100
1000
t, PULSE WIDTH (s)
Figure 11. Single Pulse Maximum Power Dissipation
?2009 Fairchild Semiconductor Corporation
FDMS7700S Rev.C
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDMS8018 | MOSFET N-CH 30V 30A 8-PQFN |
| FDMS8020 | MOSFET N-CH 30V 26A 8-PQFN |
| FDMS8023S | MOSFET N-CH 30V POWER56 |
| FDMS8025S | MOSFET N-CH 30V POWER56 |
| FDMS8026S | MOSFET N-CH 30V POWER56 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDMS8018 | 功能描述:MOSFET 30V N-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMS8020 | 功能描述:MOSFET 30V 42A 2.5mohms NCh PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMS8023S | 功能描述:MOSFET 30V N-Channel PowerTrench SyncFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMS8025S | 功能描述:MOSFET 30V N-Channel PowerTrench SyncFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMS8026S | 功能描述:MOSFET 30V N-Channel PowerTrench SyncFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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