- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录422 > FDMS8560S (Fairchild Semiconductor)MOSFET N-CH 25V 30A 8-PQFN Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | FDMS8560S |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 25V 30A 8-PQFN |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | PowerTrench®, SyncFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 25V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 30A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 1.8 毫欧 @ 30A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.2V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 68nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4350pF @ 13V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-TDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 8-PQFN（5x6） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Typical Characteristics T J = 25 °C unless otherwise noted
150
120
V GS = 10V
V GS = 4.5 V
V GS = 2.5 V
3.5
3.0
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
V GS = 2.5 V
2.5
90
60
V GS = 3.5 V
V GS = 3 V
2.0
V GS = 4.5 V
V GS = 3.5 V
V GS = 3 V
1.5
30
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
1.0
V GS = 10 V
0
0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
0.5
0
30
60
90
120
150
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On Region Characteristics
I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 2. Normalized On-Resistance
vs Drain Current and Gate Voltage
1.6
1.5
1.4
1.3
I D = 35 A
V GS = 10 V
6
5
4
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
I D = 35 A
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
3
2
1
T J = 125 o C
T J = 25 o C
0.7
-75
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
0
2
3
4
5
6
7
8
9
10
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( o C )
Figure 3. Normalized On Resistance
vs Junction Temperature
150
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 4. On-Resistance vs Gate to
Source Voltage
200
100 V GS = 0 V
120
V DS = 5 V
10
T J = 125 o C
90
T J = 125 o C
T J = 25 o C
1
T J = 25 o C
60
30
T J = -55 o C
0.1
T J = -55 o C
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0.01
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 5. Transfer Characteristics
V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 6. Source to Drain Diode
Forward Voltage vs Source Current
?2012 Fairchild Semiconductor Corporation
FDMS8560S Rev.D1
3
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDMS8570S | MOSFET N-CH 25V 24A 8-PQFN |
| FDMS86101DC | MOSFET N-CH 100V 14.5A 8-PQFN |
| FDMS86101 | MOSFET N-CH 100V 12.4A POWER56 |
| FDMS86102LZ | MOSFET N-CH 100V 7A 8-PQFN |
| FDMS86103L | MOSFET N-CH 100V 12A POWER56 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDMS8570S | 功能描述:MOSFET 25/12V Dual Cool PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMS8570SDC | 功能描述:MOSFET 25V N-Channel PowerTrench SyncFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMS86101 | 功能描述:MOSFET 100/20V Nch Power Trench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMS86101_12 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel PowerTrench?? MOSFET 100 V, 60 A, 8 m?? |
| FDMS86101_F065 | 制造商:FAIRCHILD 功能描述:N-Channel PowerTrench MOSFET |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。