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参数资料
| 型号： | FDMS86103L |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 1/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 12A POWER56 |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 12A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 8 毫欧 @ 12A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 60nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3710pF @ 50V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-PowerVDFN |
| 供应商设备封装： | Power56 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
FDMS86103L
N-Channel PowerTrench ? MOSFET
100 V, 49 A, 8 m Ω
Features
Max r DS(on) = 8 m Ω at V GS = 10 V, I D = 12 A
Max r DS(on) = 11 m Ω at V GS = 4.5 V, I D = 10 A
Advanced Package and Silicon combination for low r DS(on)
and high efficiency
December 2010
General Description
This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild
Semiconductor‘s advanced Power Trench ? process thant has
been especially tailored to minimize the on-state resistance and
yet maintain superior switching performance.
MSL1 robust package design
100% UIL tested
RoHS Compliant
Top
Bottom
Application
DC-DC Conversion
S
S
S
Pin 1
G
D
D
5
6
4
3
G
S
D
7
2
S
D
D
D
D
D
8
1
S
Power 56
MOSFET Maximum Ratings T A = 25 °C unless otherwise noted
Symbol
V DS
V GS
Parameter
Drain to Source Voltage
Gate to Source Voltage
Drain Current -Continuous (Package limited)
T C = 25 °C
Ratings
100
±20
49
Units
V
V
I D
-Continuous (Silicon limited)
-Continuous
T C = 25 °C
T A = 25 °C
(Note 1a)
81
12
A
-Pulsed
100
E AS
Single Pulse Avalanche Energy
(Note 3)
312
mJ
P D
T J , T STG
Power Dissipation
Power Dissipation
Operating and Storage Junction Temperature Range
T C = 25 °C
T A = 25 °C
(Note 1a)
104
2.5
-55 to +150
W
°C
Thermal Characteristics
R θ JC
R θ JA
Thermal Resistance, Junction to Case
Thermal Resistance, Junction to Ambient
(Note 1a)
1.2
50
°C/W
Package Marking and Ordering Information
Device Marking
FDMS86103L
Device
FDMS86103L
Package
Power 56
Reel Size
13 ’’
Tape Width
12 mm
Quantity
3000 units
?2010 Fairchild Semiconductor Corporation
FDMS86103L Rev . C
1
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDMS86104 | MOSFET N-CH 100V 7A POWER56 |
| FDMS86105 | MOSFET N-CH 100V POWER56 |
| FDMS86200 | MOSFET N-CH 150V POWER56 |
| FDMS86201 | MOSFET N-CH 120V POWER56 |
| FDMS86250 | MOSFET N-CH 150V 6.7A 8-PQFN |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDMS86104 | 功能描述:MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMS86105 | 功能描述:MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMS86150 | 功能描述:MOSFET PT5 100V/20V Nch PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMS86152 | 功能描述:MOSFET 100V N-Channel Power Trench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMS86200 | 功能描述:MOSFET 150V N-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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