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参数资料
| 型号： | FDMS86103L |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 6/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 12A POWER56 |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 12A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 8 毫欧 @ 12A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 60nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3710pF @ 50V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-PowerVDFN |
| 供应商设备封装： | Power56 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Dimensional Outline and Pad Layout
5.00
A
8
PKG
CL
5
B
8
7
3.91
6
5
1.27
0.77
4.52
PKG C L
1
4
6.15
1.27
6.61
PIN #1
IDENT MAY
APPEAR AS
OPTIONAL
TOP VIEW
4.85
SEE
DETAIL A
1.27
1
2
3
3.81
4
0.61
LAND PATTERN
RECOMMENDATION
FRONT VIEW
OPTIONAL DRAFT
3.81
ANGLE MAY APPEAR
ON FOUR SIDES
OF THE PACKAGE
0.50 (8X)
(0.34)
0.71
0.44
1
2
3
4
0.40
0.10
C A B
7
2.25
6.15
5.75
(0.63)
(0.30)
0.50
0.39
(3.44)
0.59
CHAMFER
CORNER
4.01? .30
AS PIN #1
IDENT MAY
APPEAR AS
OPTIONAL
8
7
3.86
3.61
6
5
0.65
0.45
SIDE VIEW
NOTES: UNLESS OTHERWISE SPECIFIED
0.10 C
BOTTOM VIEW
A) PACKAGE STANDARD REFERENCE:
JEDEC MO-240, ISSUE A, VAR. AA,
DATED OCTOBER 2002.
B) ALL DIMENSIONS ARE IN MILLIMETERS.
C) DIMENSIONS DO NOT INCLUDE BURRS
OR MOLD FLASH. MOLD FLASH OR
BURRS DOES NOT EXCEED 0.10MM.
D) DIMENSIONING AND TOLERANCING PER
ASME Y14.5M-1994.
E) DRAWING FILE NAME: MKT-PQFN08FREV1
0.08 C
1.05
0.95
0.30
0.20
DETAIL A
0.05
0.00
C
SEATING
PLANE
SCALE: 2:1
?2010 Fairchild Semiconductor Corporation
FDMS86103L Rev . C
6
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDMS86104 | MOSFET N-CH 100V 7A POWER56 |
| FDMS86105 | MOSFET N-CH 100V POWER56 |
| FDMS86200 | MOSFET N-CH 150V POWER56 |
| FDMS86201 | MOSFET N-CH 120V POWER56 |
| FDMS86250 | MOSFET N-CH 150V 6.7A 8-PQFN |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDMS86104 | 功能描述:MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMS86105 | 功能描述:MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMS86150 | 功能描述:MOSFET PT5 100V/20V Nch PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMS86152 | 功能描述:MOSFET 100V N-Channel Power Trench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMS86200 | 功能描述:MOSFET 150V N-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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