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参数资料
| 型号： | FDMS86104 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 1/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 7A POWER56 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 7A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 24 毫欧 @ 7A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 16nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 923pF @ 50V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-PQFN，Power56 |
| 供应商设备封装： | Power56 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FDMS86104DKR |
October 2012
FDMS86104
N-Channel PowerTrench ? MOSFET
100 V, 16 A, 24 m Ω
Features
Max r DS(on) = 24 m Ω at V GS = 10 V, I D = 7 A
Max r DS(on) = 39 m Ω at V GS = 6 V, I D = 5.5 A
Advanced Package and Silicon combination for low r DS(on)
and high efficiency
MSL1 robust package design
100% UIL tested
RoHS Compliant
General Description
This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild
Semiconductor‘s advanced Power Trench ? process thant has
been especially tailored to minimize the on-state resistance and
yet maintain superior switching performance.
Application
DC-DC Conversion
Top
Bottom
S
S
S
Pin 1
G
S
S
D
D
S
D
D
D
D
D
G
D
Power 56
MOSFET Maximum Ratings T A = 25 °C unless otherwise noted
Symbol
V DS
V GS
Drain to Source Voltage
Gate to Source Voltage
Drain Current -Continuous
Parameter
T C = 25 °C
Ratings
100
±20
16
Units
V
V
I D
-Continuous
T A = 25 °C
(Note 1a)
7
A
-Pulsed
30
E AS
Single Pulse Avalanche Energy
(Note 3)
96
mJ
P D
Power Dissipation
Power Dissipation
T C = 25 °C
T A = 25 °C
(Note 1a)
73
2.5
W
T J , T STG
Operating and Storage Junction Temperature Range
-55 to +150
°C
Thermal Characteristics
R θ JC
R θ JA
Thermal Resistance, Junction to Case
Thermal Resistance, Junction to Ambient
(Note 1a)
1.7
50
°C/W
Package Marking and Ordering Information
Device Marking
FDMS86104
Device
FDMS86104
Package
Power 56
Reel Size
13 ’’
Tape Width
12 mm
Quantity
3000 units
?2012 Fairchild Semiconductor Corporation
FDMS86104 Rev. C1
1
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDMS86105 | MOSFET N-CH 100V POWER56 |
| FDMS86200 | MOSFET N-CH 150V POWER56 |
| FDMS86201 | MOSFET N-CH 120V POWER56 |
| FDMS86250 | MOSFET N-CH 150V 6.7A 8-PQFN |
| FDMS86252 | MOSFET N-CH 150V 16A POWER56 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDMS86105 | 功能描述:MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMS86150 | 功能描述:MOSFET PT5 100V/20V Nch PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMS86152 | 功能描述:MOSFET 100V N-Channel Power Trench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMS86200 | 功能描述:MOSFET 150V N-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMS86200_F065 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
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