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参数资料
| 型号： | FDMS86310 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 6/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 80V 17A 8-PQFN |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 80V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 17A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 4.8 毫欧 @ 17A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 95nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 6290pF @ 40V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-TDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 8-PQFN（5X6），Power56 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Dimensional Outline and Pad Layout
5.10
4.90
A
5.10
8
PKG
CL
5
B
8
7
3.91
6
5
1.27
0.77
4.52
KEEP OUT AREA
PKG C L
6.25
5.90
3.75
6.61
PIN #1
IDENT MAY
APPEAR AS
1
TOP VIEW
4
1.27
1
2
3
4
OPTIONAL
SEE
DETAIL A
1.27
3.81
0.61
LAND PATTERN
RECOMMENDATION
SIDE VIEW
OPTIONAL DRAFT
0.46 (8X)
(0.39)
1.27
3.81
0.36
5.10
4.90
ANGLE MAY APPEAR
ON FOUR SIDES
OF THE PACKAGE
6
1
2
3
4
0.10
C A B
(0.52)
0.71
0.44
CHAMFER
CORNER
AS PIN #1
(1.81)
(0.50)
4.29
4.09
(3.40)
6.25
5.90
5.85
5.65
IDENT MAY
APPEAR AS
OPTIONAL
8
7 6
3.86
3.61
BOTTOM VIEW
5
0.71
0.44
(1.19)
0.15 MAX (2X)
OPTION - B (PUNCHED TYPE)
NOTES: UNLESS OTHERWISE SPECIFIED
A) PACKAGE STANDARD REFERENCE:
JEDEC MO-240, ISSUE A, VAR. AA,
DATED OCTOBER 2002.
0.10 C
B) ALL DIMENSIONS ARE IN MILLIMETERS.
C) DIMENSIONS DO NOT INCLUDE BURRS
OR MOLD FLASH. MOLD FLASH OR
BURRS DOES NOT EXCEED 0.10MM.
D) DIMENSIONING AND TOLERANCING PER
0.08 C
1.10
0.90
0.30
0.20
DETAIL A
SCALE: 2:1
0.05
0.00
C
SEATING
PLANE
ASME Y14.5M-1994.
E) IT IS RECOMMENDED TO HAVE NO TRACES
OR VIAS WITHIN THE KEEP OUT AREA.
F) DRAWING FILE NAME: PQFN08AREV6.
OPTION - A (SAWN TYPE)
?2012 Fairchild Semiconductor Corporation
FDMS86310 Rev. C
6
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDMS86320 | MOSFET N-CH 80V 10.5A 8-PQFN |
| FDMS86322 | MOSFET N-CH 80V 60A LL POWER56 |
| FDMS86500DC | MOSFET N CH 60V 29A 8-PQFN |
| FDMS86500L | MOSFET N CH 60V 25A 8-PQFN |
| FDMS86520L | MOSFET N CH 60V 13.5A 8PQFN |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDMS86320 | 功能描述:MOSFET N-Chan PowerTrench MOSFET 80V, 22A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMS86322 | 功能描述:MOSFET 80V N-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMS86322_F065 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
| FDMS86350 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:PT7 80V/20V NCH POWER TRENCH - Tape and Reel 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N-CH 80V 80A POWER56 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:TAPE REEL / PT7 80V/20V Nch Power Trench |
| FDMS86500DC | 功能描述:MOSFET 60V/20V NCh DualCool PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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