型号: | FDN358 |
厂商: | Fairchild Semiconductor Corporation |
英文描述: | P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor |
中文描述: | P沟道增强模式的逻辑电平场效应晶体管 |
文件页数: | 1/4页 |
文件大小: | 85K |
代理商: | FDN358 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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FDN358P | P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor |
FDN359BN | N-Channel Logic Level PowerTrench TM MOSFET |
FDN359 | N-Channel Logic Level PowerTrenchTM MOSFET |
FDN359AN | N-Channel Logic Level PowerTrenchTM MOSFET |
FDN360 | Single P-Channel PowerTrenchTM MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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FDN358P | 功能描述:MOSFET SSOT-3 P-CH -30V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
FDN358P | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET P SOT-23 |
FDN358P_G | 制造商:Fairchild 功能描述:Single Pch, Logic Level, Power |
FDN358P_Q | 功能描述:MOSFET SSOT-3 P-CH -30V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
FDN358P-CUT TAPE | 制造商:FAIRCHILD 功能描述:FDN358P Series 30V 125 mOhm Single P-Ch Logic Level PowerTrench Mosfet SSOT-3 |