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参数资料
| 型号： | FDP047AN08A0 |
| 厂商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | N-Channel UltraFET Trench MOSFET 75V, 80A, 4.7mз |
| 中文描述： | 80 A, 75 V, 0.0047 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| 封装： | TO-220AB, 3 PIN |
| 文件页数： | 5/10页 |
| 文件大小： | 246K |
| 代理商： | FDP047AN08A0 |
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
FDP047AN08A0 Rev. A
F
Figure 11. Normalized Gate Threshold Voltage vs
Junction Temperature
Figure 12. Normalized Drain to Source
Breakdown Voltage vs Junction Temperature
Figure 13. Capacitance vs Drain to Source
Voltage
Figure 14. Gate Charge Waveforms for Constant
Gate Currents
Typical Characteristics
T
C
= 25
°
C unless otherwise noted
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
-80
-40
0
40
80
120
160
200
N
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
o
C)
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250
μ
A
T
0.90
0.95
1.00
1.05
1.10
1.15
-80
-40
0
40
80
120
160
200
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
o
C)
N
I
D
= 250
μ
A
B
100
1000
10000
0.1
1
10
75
C
V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
V
GS
= 0V, f = 1MHz
C
ISS
=
C
GS
+ C
GD
C
OSS
C
DS
+ C
GD
C
RSS
=
C
GD
0
2
4
6
8
10
0
25
50
75
100
V
G
,
Q
g
, GATE CHARGE (nC)
V
DD
= 40V
I
D
= 80A
I
D
= 10A
WAVEFORMS IN
DESCENDING ORDER:
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDP047AN08 | N-Channel UltraFET Trench MOSFET 75V, 80A, 4.7mз |
| FDP060AN08A0 | N-Channel PowerTrench MOSFET 75V, 80A, 6.0mз |
| FDB060AN08A0 | N-Channel PowerTrench MOSFET 75V, 80A, 6.0mз |
| FDP100N10 | N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET |
| FDP10AN06A0 | N-Channel PowerTrench MOSFET 60V, 75A, 10.5mз |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDP047AN08A0 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET TRANSISTOR ROHS COMPLIANT:NO |
| FDP047AN08A0_F102 | 功能描述:MOSFET SNGL NCH 75V 4.7MOHM ULTRAFET TRENCH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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| FDP047N08 | 功能描述:MOSFET 75V N-Channel PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDP047N10 | 功能描述:MOSFET 100V N-Channel PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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