- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录423 > FDP047N08 (Fairchild Semiconductor)MOSFET N-CH 75V 164A TO-220 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | FDP047N08 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 75V 164A TO-220 |
| 产品目录绘图： | MOSFET TO-220 Pkg |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 75V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 164A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 4.7 毫欧 @ 80A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 152nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 9415pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 268W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220 |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1607 (CN2011-ZH PDF) |
Typical Performance Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics
Figure 2. Transfer Characteristics
500
100
V GS = 15.0V
10.0V
8.0 V
7.0 V
6.5 V
500
100
*Notes:
1. V DS = 20V
2. 250 μ s Pulse Test
6.0 V
175 C
5.5 V
o
25 C
-55 C
10
*Notes:
1. 250 μ s Pulse Test
10
o
o
2. T C = 25 C
1
0.002
o
0.01 0.1 1
V DS ,Drain-Source Voltage[V]
1
3
4 5 6
V GS ,Gate-Source Voltage[V]
7
175 C
25 C
Figure 3. On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
0.006
0.005
V GS = 10V
0.004
V GS = 20V
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation vs. Source Current
and Temperature
500
100
o
o
10
0.003
*Notes:
*Note: T C = 25 C
0.002
0
100 200 300
o
400
1
0.2
1. V GS = 0V
2. 250 μ s Pulse Test
0.4 0.6 0.8 1.0 1.2
1.4
I D , Drain Current [A]
Figure 5. Capacitance Characteristics
V SD , Body Diode Forward Voltage [V]
Figure 6. Gate Charge Characteristics
12000
C iss
Ciss = Cgs + Cgd ( Cds = shorted )
Coss = Cds + Cgd
Crss = Cgd
10
8
V DS = 15V
V DS = 37.5V
V DS = 60V
8000
6
C oss
*Note:
1. V GS = 0V
4
4000
C rss
2. f = 1MHz
2
0
0.1
1 10
30
0
0
20
*Note: I D = 80A
40 60 80 100
120
V DS , Drain-Source Voltage [V]
Q g , Total Gate Charge [nC]
?2008 Fairchild Semiconductor Corporation
FDP047N08 Rev. C3
3
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDP047N10 | MOSFET N-CH 100V 120A TO-220 |
| FDP050AN06A0 | MOSFET N-CH 60V 80A TO-220AB |
| FDP054N10 | MOSFET N-CH 100V TO-220AB-3 |
| FDP060AN08A0 | MOSFET N-CH 75V 80A TO-220AB |
| FDP070AN06A0 | MOSFET N-CH 60V 80A TO-220AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDP047N10 | 功能描述:MOSFET 100V N-Channel PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDP047N10_12 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel PowerTrench?? MOSFET 100V, 164A, 4.7mW |
| FDP050AN06A0 | 功能描述:MOSFET N-Channel PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDP050AN06A0_F085 | 功能描述:MOSFET N-Chan PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDP050AN06A0_Q | 功能描述:MOSFET N-Channel PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。