参数资料
型号: FDP070AN06A0
厂商: Fairchild Semiconductor
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文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 60V 80A TO-220AB
产品培训模块: High Voltage Switches for Power Processing
标准包装: 400
系列: PowerTrench®
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 80A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 7 毫欧 @ 80A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 66nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 3000pF @ 25V
功率 - 最大: 175W
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-220-3
供应商设备封装: TO-220AB
包装: 管件
October 2013
FDB070AN06A0
N-Channel PowerTrench ? MOSFET
60 V, 80 A, 7 m Ω
Features
? R DS(on) = 6.1 m ? ( Typ.) @ V GS = 10 V, I D = 80 A
? Q g (tot) = 51 nC ( Typ.) @ V GS = 10 V
? Low Miller Charge
Applications
? Synchronous Rectification for ATX / Server / Telecom PSU
? Battery Protection Circuit
? Motor Drives and Uninterruptible Power Supplies
? Low Q rr Body Diode
? UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse)
Formerly developmental type 82 5 67
D
D
G
S
D 2 -PAK
G
S
MOSFET Maximum Ratings T C = 25°C unless otherwise noted
Continuous (T A = 25 C, V GS = 10V, R θ JA = 43 C/W)
C
Symbol
V DSS
V GS
I D
E AS
P D
T J , T STG
Parameter
Drain to Source Voltage
Gate to Source Voltage
Drain Current
Continuous (T C < 97 o C, V GS = 10V)
o o
Pulsed
Single Pulse Avalanche Energy (Note 1)
Power dissipation
Derate above 25 o C
Operating and Storage Temperature
FDB070AN06 A0
60
± 20
80
15
Figure 4
190
175
1.17
-55 to 175
U nit
V
V
A
A
A
mJ
W
W/ o C
o
Thermal Characteristics
C/W
C/W
R θ JC
R θ JA
R θ JA
Thermal Resistance Junction to Case, Max.
Thermal Resistance Junction to Ambient, Max. (Note 2)
Thermal Resistance Junction to Ambient, Max., 1in 2 copper pad area
0 .86
62
43
o C/W
o
o
? 200 3 Fairchild Semiconductor Corporation
FDB070AN06A0 Rev. C2
1
www.fairchildsemi.com
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FDP075N15A_F102 功能描述:MOSFET 150V NChan PwrTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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