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参数资料
| 型号： | FDP083N15A |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 1/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 150V TO-220-3 |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 150V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 105A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 8.3 毫欧 @ 75A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 84nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 6040pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 231W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220-3 |
| 包装： | 管件 |
November 2013
FDP083N15A
N-Channel PowerTrench ? MOSFET
150 V, 117 A, 8.3 m Ω
Features
? R DS(on) = 6.85 m Ω ( Typ.) @ V GS = 10 V, I D = 75 A
? Fast Switching Speed
? Low Gate Charge, Q G = 64.5 nC (Typ.)
? High Performance Trench Technology for Extremely Low
R DS(on)
? High Power and Current Handling Capability
? RoHS Compliant
Description
This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semicon-
ductor ’s PowerTrench ? process that has been tailored to mini-
mize the on-state resistance while maintaining superior
switching performance.
Applications
? Synchronous Rectification for ATX / Server / Telecom PSU
? Battery Protection Circuit
? Motor Drives and Uninterruptible Power Supplies
? Micro Solar Inverter
D
GD
S
TO-220
G
S
MOSFET Maximum Ratings T C =
25 o C
unless otherwise noted.
Symbol
V DSS
Drain to Source Voltage
Parameter
FDP083N15A_F102
150
Unit
V
V GSS
I D
Gate to Source Voltage
Drain Current
- Continuous (T C = 25 o C, Silicon Limited)
- Continuous (T C = 100 o C, Silicon Limited)
±20
117
83
V
A
I DM
Drain Current
- Pulsed
(Note 1)
468
A
E AS
dv/dt
P D
Single Pulsed Avalanche Energy
Peak Diode Recovery dv/dt
Power Dissipation
(T C = 25 o C)
- Derate Above 25 o C
(Note 2)
(Note 3)
542
6
294
1.96
mJ
V/ns
W
W/ o C
T J , T STG
T L
Operating and Storage Temperature Range
Maximum Lead Temperature for Soldering, 1/8” from Case for 5 Seconds
-55 to +175
300
o
o
C
C
Thermal Characteristics
Symbol
R θ JC
R θ JA
Parameter
Thermal Resistance, Junction to Case, Max.
Thermal Resistance, Junction to Ambient, Max.
FDP083N15A_F102
0.51
62.5
Unit
o C/W
?2011 Fairchild Semiconductor Corporation
FDP083N15A Rev. C2
1
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDP085N10A | MOSFET N-CH 100V TO-220-3 |
| FDP090N10 | MOSFET N-CH 100V 75A TO-220 |
| FDP100N10 | MOSFET N-CH 100V 75A TO-220 |
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| FDP120AN15A0 | MOSFET N-CH 150V 14A TO-220AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDP083N15A_F102 | 功能描述:MOSFET 150V N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDP085N10A | 功能描述:MOSFET N-CH 100V TO-220-3 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:PowerTrench® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| FDP085N10A_F102 | 功能描述:MOSFET 100V N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDP085N10AF102 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel PowerTrench?? MOSFET 100 V, 96 A, 8.5 m?? |
| FDP085N10A-F102 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel PowerTrench?? MOSFET 100 V, 96 A, 8.5 m?? |
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